[發明專利]柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列及其制備方法

在審

• 申請號: 202211046983.3
• 申請日: 2022-08-30
• 公開（公告）號: CN115381457A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 趙冰蕾
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: A61B5/291
• 分類號: A61B5/291;B81B1/00;B81C1/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列，其特征在于，包括有機物基底；所述有機物基底上設置有陣列部分、引線部分和引出端部分；

所述陣列部分包括多個電極觸點；

所述引線部分包括多個引線；

所述引出端部分包括多個導電引出端；

所述引線、導電引出端和電極觸點一一對應設置；

所述引線的一端連接導電引出端；

所述引線的另一端連接電極觸點；

所述電極觸點包括探針電極觸點和平面電極觸點；

所述探針電極觸點和平面電極觸點成組設置；

所述探針電極觸點和平面電極觸點均陣列設置。

2.根據權利要求1所述的柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列，其特征在于，所述探針電極觸點包括電鍍盤和探針電極，且電鍍盤陣列設置；

所述探針電極位于電鍍盤上。

3.根據權利要求1所述的柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列，其特征在于，所述有機物基底為柔性基底或者硬性基底。

4.根據權利要求2所述的柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列，其特征在于，所述探針電極為金屬探針或合金探針；

所述電鍍盤、平面電極觸點、引線和導電引出端為金屬膜層或者合金膜層。

5.根據權利要求2所述的柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列，其特征在于，所述探針電極的直徑包括10微米至100微米，探針電極的高度包括100微米至3000微米。

6.根據權利要求1所述的柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列，其特征在于，所述電極觸點、有機物基底和引線上覆蓋有PI層；

所述電極觸點頂部均設置有石墨烯導電層；

所述石墨烯導電層網鏈PI層。

7.根據權利要求4所述的柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列，其特征在于，金屬膜層或者合金膜層厚度為0.1微米至5微米。

8.根據權利要求6所述的柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列，其特征在于，所述石墨烯導電層的厚度為1微米至20微米。

9.一種柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列的制備方法，其特征在于，應用權利要求1-8任一所述的柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列，包括如下步驟：

基底形成步驟：形成有機物基底；

膜層形成步驟：在有機物基底上形成金屬膜層或者合金膜層；

形化工藝步驟：在金屬膜層或者合金膜層上通過形化工藝形成引線、導電引出端、陣列的電鍍盤和陣列的平面電極觸點；

涂覆膠步驟：根據探針電極的高度涂覆指定膠在有機物基底和陣列部分上，并使用預定溫度固化成膜；

打孔步驟：在指定膠上對準電鍍盤，采用激光脈沖方式逐步打孔至電鍍盤；

探針形成步驟：使用電鍍液在打孔步驟形成的孔中電鍍形成探針電極；

指定膠去除步驟：去除指定膠，露出陣列的電極觸點以及有機物基底；

PI層涂覆步驟：在電極觸點、有機物基底和引線上覆蓋PI層；

石墨烯形成步驟：在電極觸點頂部采用激光輻照方式形成石墨烯導電層。

10.根據權利要求9所述的柔性基底腦機接口信號采集調控探針陣列的制備方法，其特征在于，在所述涂覆膠步驟中，所述指定膠為水溶膠或光敏膠。