[發(fā)明專利]一種TGV轉(zhuǎn)接板3D封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211046700.5
• 申請日: 2022-08-30
• 公開（公告）號: CN115332222A
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉波;周武
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山弗萊吉電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/552;H01L21/768
• 代理公司: 蘇州和氏璧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32390
• 代理人: 吳浩宇

1.一種TGV轉(zhuǎn)接板3D封裝結(jié)構(gòu)，包括襯底層、在所述襯底層上疊設(shè)的至少兩層相間隔設(shè)置的TGV轉(zhuǎn)接板，任意所述TGV轉(zhuǎn)接板的兩側(cè)分別設(shè)有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層上設(shè)有連接通孔與導(dǎo)通電路，其特征在于：

所述TGV轉(zhuǎn)接板的兩側(cè)分別設(shè)有屏蔽板，所述屏蔽板包括與所述TGV轉(zhuǎn)接板相復(fù)合的陶瓷基層，所述陶瓷基層背離所述TGV轉(zhuǎn)接板的一側(cè)設(shè)有周期性分布的EBG結(jié)構(gòu)層，所述陶瓷基層的EBG結(jié)構(gòu)所在表面上設(shè)有轉(zhuǎn)接導(dǎo)電層，

所述TGV轉(zhuǎn)接板和所述陶瓷基層內(nèi)分別設(shè)有填充有銅的導(dǎo)通孔道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種TGV轉(zhuǎn)接板3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述陶瓷基層背離所述TGV轉(zhuǎn)接板的一側(cè)設(shè)有具備導(dǎo)電顆粒的塑料基層，所述轉(zhuǎn)接導(dǎo)電層設(shè)置在所述塑料基層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種TGV轉(zhuǎn)接板3D封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述TGV轉(zhuǎn)接板與所述屏蔽板相封裝一體。

4.基于權(quán)利要求1至3任意一項所述一種TGV轉(zhuǎn)接板3D封裝結(jié)構(gòu)的其制備方法，其特征在于包括如下步驟：

S1轉(zhuǎn)接板制備，選擇玻璃基層，在玻璃基層上進(jìn)行導(dǎo)通孔道的鐳射成型，再進(jìn)行玻璃基層兩側(cè)導(dǎo)電層的鍍層成型，在鍍層上制備所述導(dǎo)通電路與連接通孔，對導(dǎo)通孔道進(jìn)行銅填充形成TGV轉(zhuǎn)接板；

S2 屏蔽板制備，選擇陶瓷基層，在陶瓷基層上進(jìn)行導(dǎo)通孔道與EBG結(jié)構(gòu)層的鐳射成型，再進(jìn)行轉(zhuǎn)接導(dǎo)電層的成型，對導(dǎo)通孔道進(jìn)行銅填充形成屏蔽板；

S3復(fù)合成型，將TGV轉(zhuǎn)接板與屏蔽板復(fù)合一體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種TGV轉(zhuǎn)接板3D封裝結(jié)構(gòu)的其制備方法，其特征在于：

所述步驟S2中，在陶瓷基層的表面形成一具備導(dǎo)電顆粒的塑料基層，在所述塑料基層上鐳射化鍍形成所述轉(zhuǎn)接導(dǎo)電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種TGV轉(zhuǎn)接板3D封裝結(jié)構(gòu)的其制備方法，其特征在于：

所述步驟S3中，通過層疊的方式將所述TGV轉(zhuǎn)接板、所述襯底層、所述屏蔽板及芯片構(gòu)建成三維層疊結(jié)構(gòu)體，對三維層疊結(jié)構(gòu)體進(jìn)行封裝成型。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種TGV轉(zhuǎn)接板3D封裝結(jié)構(gòu)的其制備方法，其特征在于：

所述步驟S1中，采用化學(xué)沉淀的方式在所述玻璃基層上形成導(dǎo)電層，沉積為鎳銅。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種TGV轉(zhuǎn)接板3D封裝結(jié)構(gòu)的其制備方法，其特征在于：

所述步驟S2中，所述陶瓷基層朝向所述TGV轉(zhuǎn)接板的一側(cè)設(shè)有矩陣式支撐體。