[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、基板處理裝置以及存儲介質(zhì)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211045826.0 | 申請日: | 2022-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN115938920A | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梅田愛子;八島司;中川良彥 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社國際電氣 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205;C23C16/48;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 閆劍平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 處理 裝置 以及 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法,其包括:
設(shè)定對微波的輸出值進行修正的修正系數(shù)的工序;
對保持所設(shè)定的所述修正系數(shù)的多個修正表進行存儲的工序;
從開始輸出所述微波起周期性地從多個所述修正表中的至少一個所述修正表獲取所述修正系數(shù)的工序;
根據(jù)所獲取的所述修正系數(shù)算出所述微波的輸出設(shè)定值的修正值的工序;
使用算出的所述修正值進行所述微波的輸出設(shè)定值的修正的工序;以及
利用修正后的所述微波的輸出設(shè)定值將所述微波向處理室內(nèi)供給來對基板進行處理的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
多個所述修正表包括能夠設(shè)定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系數(shù)的裝置間機差修正表。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
多個所述修正表包括能夠從開始輸出所述微波起每隔經(jīng)過時間設(shè)定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系數(shù)的處理模塊間修正表。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
多個所述修正表包括能夠從開始輸出所述微波起每隔經(jīng)過時間設(shè)定所述微波的偏移量值的修正系數(shù)的處理間修正表。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
在進行所述修正系數(shù)的設(shè)定的工序中,
所述裝置間機差修正表能夠設(shè)定裝置整體共用的修正系數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
在進行所述修正系數(shù)的設(shè)定的工序中,
所述處理模塊間修正表能夠針對每個模塊設(shè)定修正系數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
在進行所述修正系數(shù)的設(shè)定的工序中,
所述處理間修正表能夠針對每個定義了基板的處理條件的制程設(shè)定修正系數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
多個所述修正表包括能夠從開始輸出所述微波起每隔經(jīng)過時間設(shè)定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系數(shù)的處理模塊間修正表以及/或者能夠從開始輸出所述微波起每隔經(jīng)過時間設(shè)定所述微波的偏移量值的修正系數(shù)的處理間修正表,
在算出所述微波的所述修正值的工序中,將根據(jù)所述處理模塊間修正表以及/或者所述處理間修正表獲取到的修正系數(shù)、和根據(jù)所述裝置間機差修正表獲取到的修正系數(shù)組合,來算出所述微波的輸出設(shè)定值的修正值。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
在獲取所述修正系數(shù)的工序中,在不存在所述處理模塊間修正表的情況下,不進行所述微波的輸出設(shè)定值的修正。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
在獲取所述修正系數(shù)的工序中,在不存在所述處理間修正表的情況下,使用所述處理模塊間修正表或者所述裝置間機差修正表的某一個進行所述微波的輸出設(shè)定值的修正。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
所述修正表能夠被指定為定義了基板的處理條件的制程的組合信息。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
在沒有進行所述微波的輸出的情況下不算出所述修正值。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
所述存儲部能夠存儲輸出狀態(tài)、從輸出起的經(jīng)過時間以及設(shè)定值,來作為微波信息。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其中,
在沒有對所述基板進行處理的情況下,清除所述經(jīng)過時間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





