[發明專利]一種雙頻復合共口徑單極化超寬帶陣列天線

在審

• 申請號: 202211041175.8
• 申請日: 2022-08-29
• 公開（公告）號: CN115395250A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 唐明春;趙培榮;孫正一;林青麗;張仁龍;石婷;陳曉明;易禮君;田野;李骦;唐洪;劉嘉國;蔣創新
• 申請（專利權）人: 重慶大學;中國電子科技集團公司第二十六研究所
• 主分類號: H01Q21/06
• 分類號: H01Q21/06;H01Q21/30;H01Q21/00;H01Q1/52;H01Q1/24
• 代理公司: 重慶市嘉允啟行專利代理事務所(普通合伙) 50243
• 代理人: 胡柯

1.一種雙頻復合共口徑單極化超寬帶陣列天線，其特征在于，包括平行均勻布陣的若干天線陣列單元(1)，所述天線陣列單元(1)均包括位于其中心且工作在Ku波段的低頻天線子單元(2)，以及均勻分布在所述低頻天線子單元(2)周圍且工作在Ka波段的四個高頻天線子單元(3)，以及與低頻天線子單元(1)連接的帶狀線濾波器(4)；

所述陣列天線采用多層電路板印刷制成，所述低頻天線子單元(2)和高頻天線子單元(3)均包括位于所述陣列天線上層的輻射層組件，所述低頻天線子單元(2)和高頻天線子單元(3)均包括有位于所述陣列天線下層的饋電層組件，所述饋電層組件均采用探針激勵的方式激勵上層的輻射層組件。

2.如權利要求1所述的一種雙頻復合共口徑單極化超寬帶陣列天線，其特征在于，所述天線陣列單元(1)的數量為8。

3.如權利要求1所述的一種雙頻復合共口徑單極化超寬帶陣列天線，其特征在于，所述天線陣列單元(1)包括從上至下層疊安裝的第一介質基板(5)、兩個第二介質基板(6)、第一金屬地板(7)、第三介質基板(8)、第二金屬地板(9)、兩個第四介質基板(10)、第三金屬地板(11)。

4.如權利要求3所述的一種雙頻復合共口徑單極化超寬帶陣列天線，其特征在于，所述低頻單元(2)的輻射層組件包括四個Ku頻段的長方形貼片(12)，四個Ku頻段的長方形貼片(12)均勻貼設在第一介質基板(5)的上表面；

所述低頻天線子單元(2)的輻射層組件還包括貫穿第一介質基板(5)和兩個第二介質基板(6)的四組第一金屬通孔(13)，四組第一金屬通孔(13)分別位于四個Ku頻段的長方形貼片(12)正下方。

5.如權利要求3所述的一種雙頻復合共口徑單極化超寬帶陣列天線，其特征在于，所述低頻天線子單元(2)的饋電層組件包括貼設在第一介質基板(5)上的第一L形探頭貼片(14)，以及設置在下層第二介質基板(6)上表面的第一微帶線(15)，以及貫穿所述第一介質基板(5)、上層第二介質基板(6)的第一金屬饋電通孔(19)，所述第一金屬饋電通孔(19)用于連接所述第一微帶線(15)與第一L形探頭貼片(14)；

所述低頻天線子單元(2)的饋電層組件還包括若干貫穿兩個第四介質基板(10)的第二金屬通孔(16)，若干第二金屬通孔(16)構成第一基片集成波導饋電腔體(17)，所述帶狀線濾波器(4)被設置在第一基片集成波導饋電層金屬腔體(17)內的下層第四介質基板(10)的上表面；

所述低頻天線子單元(2)的饋電層組件還包括設置在所述第三金屬地板(11)下方的第一同軸饋電結構(18)，以及貫穿所述下層第二介質基板(6)、第三介質基板(8)以及上層第四介質基板(10)的第二金屬饋電通孔(27)，所述第一同軸饋電結構(18)貫穿下層第四介質基板(10)與所述帶狀線濾波器(4)連接，所述第二金屬饋電通孔(27)用于連接所述帶狀線濾波器(4)與第一微帶線(15)。

6.如權利要求3所述的一種雙頻復合共口徑單極化超寬帶陣列天線，其特征在于，四個高頻天線子單元(3)均勻設置在第一介質基板(5)兩側的第二介質基板(6)上，所述高頻天線子單元(3)的輻射層組件均包括四個Ka頻段的長方形貼片(20)，四個Ka頻段的長方形貼片(20)均被貼設在上層第二介質基板(6)的上表面；

所述高頻天線子單元(3)的輻射層組件均包括貫穿兩個第二介質基板(6)的四組第三金屬通孔(21)，四組第三金屬通孔(21)分別位于四個Ka頻段的長方形貼片(20)正下方。