[發(fā)明專利]基于量子阱二極管的可見光視頻通信裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211040314.5 | 申請(qǐng)日: | 2022-08-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115426042A | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王永進(jìn);傅康 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京亮芯信息科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04B10/116 | 分類號(hào): | H04B10/116;H04N7/14;H04L27/10 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 陳麗麗 |
| 地址: | 210019 江蘇省南京*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 量子 二極管 可見光 視頻 通信 裝置 | ||
本發(fā)明中的基于量子阱二極管的可見光視頻通信裝置包括:發(fā)送單元,包括攝像頭、發(fā)送端信號(hào)處理電路、功率放大電路和第一InGaN/GaN量子阱二極管芯片,第一InGaN/GaN量子阱二極管芯片用于向外界發(fā)射第一光信號(hào);接收單元,包括第二InGaN/GaN量子阱二極管芯片、模式選擇電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、接收端信號(hào)處理電路和上位機(jī),第二InGaN/GaN量子阱二極管芯片用于接收來自于外界的第二光信號(hào)。本發(fā)明降低了可見光視頻通信裝置的成本,提高了可見光視頻通信裝置的集成度,縮小可見光視頻通信裝置的體積。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及無線光通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于量子阱二極管的可見光視頻通信裝置。
背景技術(shù)
可見光通信技術(shù)是通過控制LED(發(fā)光二極管)的亮滅來實(shí)現(xiàn)信息的傳輸,當(dāng)前最先進(jìn)的可見光通信的傳輸速率可達(dá)到Gb/s。傳統(tǒng)的無線電信號(hào)傳輸設(shè)備存在很多局限性,例如價(jià)格昂貴、但效率不高,比如手機(jī),在全球通過建立數(shù)百萬個(gè)基站來增強(qiáng)手機(jī)傳輸信號(hào),但是大部分能量卻消耗在設(shè)備冷卻上,能量有效利用效率只有5%。相比之下,可見光通信技術(shù)本質(zhì)上是通過光信號(hào)來實(shí)現(xiàn)信息的傳輸,所需的傳輸設(shè)備只需要LED,且不占用現(xiàn)有的頻帶資源,因而也就不會(huì)與現(xiàn)有的頻段設(shè)備之間產(chǎn)生相互干擾,從而使得可見光通信方式具有良好的通信質(zhì)量和保密性,且更加的綠色環(huán)保。可見光通信作為射頻通信的備用方案越來越受到高校、研究機(jī)構(gòu)的重視。目前,可見光通信系統(tǒng)常用的是LED-PDs(發(fā)光二極管-光電二極管)的組合,這種方式體積大,成本高。
因此,如何降低可見光通信裝置的制造成本,減小可見光通信裝置的體積,是當(dāng)前亟待解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種基于量子阱二極管的可見光視頻通信裝置,用于降低可見光通信裝置的制造成本,減小可見光通信裝置的體積,并提升可見光通信裝置的性能。
為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種基于量子阱二極管的可見光視頻通信裝置,包括:
發(fā)送單元,包括攝像頭、發(fā)送端信號(hào)處理電路、功率放大電路和第一InGaN/GaN量子阱二極管芯片,所述攝像頭用于產(chǎn)生第一視頻數(shù)據(jù)的基帶信號(hào);所述發(fā)送端信號(hào)處理電路連接所述攝像頭,用于將來自于所述攝像頭的所述第一視頻數(shù)據(jù)的基帶信號(hào)進(jìn)行2FSK調(diào)制,并產(chǎn)生第一視頻數(shù)據(jù)的帶通信號(hào);所述功率放大電路連接所述發(fā)送端信號(hào)處理電路,用于對(duì)所述第一視頻數(shù)據(jù)的帶通信號(hào)進(jìn)行放大處理;所述第一InGaN/GaN量子阱二極管芯片連接所述功率放大電路,用于向外界發(fā)射加載有所述第一視頻數(shù)據(jù)的帶通信號(hào)的第一光信號(hào);
接收單元,包括第二InGaN/GaN量子阱二極管芯片、模式選擇電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、接收端信號(hào)處理電路和上位機(jī),所述第二InGaN/GaN量子阱二極管芯片用于接收來自于外界且加載有第二視頻數(shù)據(jù)的第二光信號(hào),并將所述第二光信號(hào)轉(zhuǎn)換為光生電流信號(hào);所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路連接所述第二InGaN/GaN量子阱二極管芯片,用于將所述光生電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二視頻數(shù)據(jù)的帶通信號(hào);所述接收端信號(hào)處理電路連接所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路,用于對(duì)所述第二視頻數(shù)據(jù)的帶通信號(hào)進(jìn)行2FSK解調(diào),并產(chǎn)生第二視頻數(shù)據(jù)的基帶信號(hào);所述上位機(jī)連接所述接收端信號(hào)處理電路,用于對(duì)接收到的所述第二視頻數(shù)據(jù)的基帶信號(hào)進(jìn)行圖像還原處理;所述模式選擇電路用于切換所述第二InGaN/GaN量子阱二極管芯片的工作模式,所述工作模式包括發(fā)光探測(cè)模式和熄滅探測(cè)模式。
可選的,所述發(fā)送單元還包括發(fā)送端主控結(jié)構(gòu);所述發(fā)送端主控結(jié)構(gòu)包括:
第一單片機(jī),所述發(fā)送端信號(hào)處理電路位于所述第一單片機(jī)內(nèi);
第一外圍電路,連接所述第一單片機(jī),包括第一晶振電路、第一復(fù)位電路、第一燒寫電路和第一存儲(chǔ)電路,所述第一晶振電路用于產(chǎn)生所述第一單片機(jī)的工作頻率,所述第一復(fù)位電路用于對(duì)所述第一單片機(jī)進(jìn)行硬件復(fù)位,所述第一燒寫電路用于對(duì)所述第一單片機(jī)進(jìn)行程序燒錄,所述第一存儲(chǔ)電路用于所述發(fā)送端信號(hào)處理電路進(jìn)行所述2FSK調(diào)制時(shí)載波信號(hào)的存儲(chǔ)。
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