[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211039381.5
• 申請日: 2022-08-29
• 公開（公告）號: CN115942803A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金炅秀;孫庚模;金銀成
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H10K59/122
• 分類號: H10K59/122;H10K59/123;H10K59/131;H10K59/124
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 趙彤;葉朝君

本公開提供了一種有機發(fā)光顯示裝置。本公開涉及混合有機發(fā)光顯示裝置，該混合有機發(fā)光顯示裝置在用于驅(qū)動單位像素的驅(qū)動裝置單元中包括具有氧化物半導(dǎo)體圖案的驅(qū)動薄膜晶體管和具有氧化物半導(dǎo)體圖案或多晶半導(dǎo)體圖案的開關(guān)薄膜晶體管，其中，有源層下方的擋光層電連接到源極，以形成在低灰度級具有寬控制范圍的驅(qū)動薄膜晶體管，并且擋光層盡可能靠近有源層設(shè)置，以拓寬驅(qū)動薄膜晶體管的控制范圍。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及有機發(fā)光顯示裝置，并且更具體地涉及包括用于單位像素的驅(qū)動裝置部分的使用不同類型的半導(dǎo)體材料的多個混合薄膜晶體管的有機發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)

由于與液晶顯示裝置相比，有機發(fā)光顯示裝置使用在不使用背光的情況下發(fā)光的發(fā)光二極管，因此由于其優(yōu)異的薄膜和圖像質(zhì)量而成為顯示領(lǐng)域的趨勢。

特別地，對于有機發(fā)光顯示裝置，由于發(fā)光二極管可以形成在柔性基板上，所以屏幕可以以諸如彎曲或折疊的各種形式來配置。

此外，由于有機發(fā)光顯示裝置優(yōu)異的薄膜性能，其適合作為例如智能手表的小型電子產(chǎn)品的顯示裝置。

為了應(yīng)用于諸如具有許多靜止屏幕的智能手表的顯示裝置，需要具有能夠減少或防止靜止屏幕中的漏電流的新型驅(qū)動裝置單元的發(fā)光顯示裝置。

作為有利于阻止漏電流的薄膜晶體管，已經(jīng)提出了使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層的薄膜晶體管。

然而，使用混合型薄膜晶體管的顯示裝置使用不同類型的半導(dǎo)體層，例如多晶半導(dǎo)體層和氧化物半導(dǎo)體層。因此，由于形成多晶半導(dǎo)體層的工藝和形成氧化物半導(dǎo)體層的工藝必須分開執(zhí)行，所以工藝復(fù)雜。此外，由于多晶半導(dǎo)體層和氧化物半導(dǎo)體層相對于化學氣體具有不同的特性，因此工藝更加復(fù)雜。

由于多晶半導(dǎo)體層中的諸如電子和空穴的載流子的遷移率比氧化物半導(dǎo)體層的載流子的遷移率快，因此多晶半導(dǎo)體層適用于需要快速驅(qū)動的驅(qū)動薄膜晶體管。結(jié)果，驅(qū)動薄膜晶體管通常使用多晶半導(dǎo)體層。

然而，使用多晶半導(dǎo)體層的驅(qū)動薄膜晶體管具有高驅(qū)動速度，但是由于電流應(yīng)力而具有大的電流波動率，因此在表示低灰度方面具有缺點。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本公開的目的是提供一種驅(qū)動裝置，該驅(qū)動裝置包括使用氧化物半導(dǎo)體并且具有大的s因子值和在電流應(yīng)力之后小的電流變化率的驅(qū)動薄膜晶體管。

除了如上所述的本公開的目的之外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將從本公開的以下描述中清楚地理解本公開的其它目的和特征。

為了實現(xiàn)該目的，有機發(fā)光顯示裝置包括：多個像素，該多個像素各自包括連接到與選通線交叉的數(shù)據(jù)線的發(fā)光裝置；驅(qū)動晶體管，該驅(qū)動晶體管設(shè)置在每個像素處，驅(qū)動晶體管具有第一氧化物半導(dǎo)體圖案并且根據(jù)從數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)電壓來向發(fā)光裝置提供驅(qū)動電流；以及多個開關(guān)晶體管，該多個開關(guān)晶體管設(shè)置在每個像素處，多個開關(guān)晶體管包括第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管，第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管根據(jù)從選通線施加的選通信號來提供數(shù)據(jù)電壓，其中，第二開關(guān)晶體管包括第二氧化物半導(dǎo)體圖案，驅(qū)動晶體管包括在第一氧化物半導(dǎo)體圖案的下部與第一氧化物半導(dǎo)體圖案交疊的第一擋光層，并且第二開關(guān)晶體管包括在第二氧化物半導(dǎo)體圖案的下部與第二氧化物半導(dǎo)體圖案交疊的第二擋光層，并且第一氧化物半導(dǎo)體圖案與第一擋光層之間的第一距離比第二氧化物半導(dǎo)體圖案與第二擋光層之間的第二距離小。

第一開關(guān)晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極，并且第二開關(guān)晶體管包括：位于上緩沖層上的第二氧化物半導(dǎo)體圖案；與第二氧化物半導(dǎo)體圖案交疊的第二柵極，其中第二柵極絕緣層插置在第二柵極與第二氧化物半導(dǎo)體圖案之間；位于第二柵極上的第二層間絕緣層；以及位于第二層間絕緣層上的第二源極和第二漏極。驅(qū)動晶體管包括：位于上緩沖層上的第一氧化物半導(dǎo)體圖案；與第一氧化物半導(dǎo)體圖案交疊的第三柵極，其中第二柵極絕緣層插置在第三柵極與第一氧化物半導(dǎo)體圖案之間；位于第三柵極上的第二層間絕緣層；以及位于第二層間絕緣層上的連接到第一氧化物半導(dǎo)體圖案的第三源極和第三漏極，其中，第三源極連接到第一擋光層。