[發明專利]一種半導體濺射鉭環的修復方法

在審

• 申請號: 202211035566.9
• 申請日: 2022-08-26
• 公開（公告）號: CN115319399A
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;馮周瑜;陳玉蓉
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: B23P6/00
• 分類號: B23P6/00
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 韓承志

1.一種半導體濺射鉭環的修復方法，其特征在于，所述的修復方法包括：

(Ⅰ)將分布在環件本體外壁的凸結體由所述環件本體的表面分離，得到第一環體，所述第一環體的表面形成預留槽；

(Ⅱ)對所述第一環體進行酸洗，去除表面的附著物；

(Ⅲ)車削所述第一環體的內圈表面、外圈表面與R角，去除表面的殘留物質；

(Ⅳ)在所述預留槽內填充墊片，得到第二環體，并對所述第二環體進行粗糙化處理；

(Ⅴ)取出所述墊片，將所述凸結體分別固定在所述預留槽內，完成修復。

2.根據權利要求1所述的修復方法，其特征在于，步驟(Ⅰ)中，所述的分離包括：利用切割裝置切割所述環件本體外壁的所述凸結體，再將所述凸結體與所述環件本體的連接部進行切除形成所述預留槽，得到所述第一環體。

3.根據權利要求1或2所述的修復方法，其特征在于，步驟(Ⅱ)中，所述酸洗包括：采用酸溶液浸泡所述第一環體；

優選地，所述酸溶液包括HF、HCl與水，所述HF、HCl與水的體積比為1:(2～5):(1～3)；

優選地，步驟(II)中，所述酸洗的時間為3～8min。

4.根據權利要求1-3任一項所述的修復方法，其特征在于，所述修復方法還包括：在所述車削之后并在所述填充墊片之前，對所述第一環體的內圈表面、外圈表面與R角處進行拋光處理；

優選地，所述拋光處理包括：采用砂紙在所述第一環體的內圈表面、外圈表面與R角處摩擦削除。

5.根據權利要求4所述的修復方法，其特征在于，所述拋光處理后，所述環件本體的厚度損失率為1～6％。

6.根據權利要求1-5任一項所述的修復方法，其特征在于，步驟(Ⅳ)中，所述墊片為弧形結構，所述墊片與所述預留槽的結構相匹配；

優選地，所述墊片的材質與所述環件本體的材質相同。

7.根據權利要求1-6任一項所述的修復方法，其特征在于，步驟(Ⅳ)中，所述粗糙化處理包括：采用滾花輪在所述第二環體的內圈表面、外圈表面與R角處形成花紋；

優選地，所述第二環體表面的粗糙度為12～45μm。

8.根據權利要求1-7任一項所述的修復方法，其特征在于，步驟(Ⅴ)中，所述的固定為焊接固定。

9.根據權利要求1-8任一項所述的修復方法，其特征在于，步驟(Ⅴ)中，在固定所述凸結體前，對所述凸結體依次進行酸洗與拋光處理，去除所述凸結體表面的附著物。

10.根據權利要求1-9任一項所述的修復方法，其特征在于，所述修復方法具體包括如下步驟：

(1)利用切割裝置切割環件本體外壁的凸結體，再將所述凸結體與所述環件本體的連接部進行切除形成預留槽，得到第一環體；

(2)采用酸溶液浸泡所述第一環體進行酸洗，去除所述第一環體表面的附著物，酸洗的時間為3～8min；

(3)車削所述第一環體的內圈表面、外圈表面與R角，去除表面的殘留物質，并采用砂紙進行拋光處理；

(4)在所述第一環體的預留槽內填充墊片，得到第二環體，并采用滾花輪在所述第二環體的內圈表面、外圈表面與R角處形成花紋；

(5)對步驟(1)中的凸結體依次進行酸洗與拋光處理，去除所述凸結體表面的附著物；

(6)取出所述第二環體的墊片，將步驟(5)中的凸結體分別固定在所述預留槽內，完成修復。