[發(fā)明專利]用于減少輔助變壓器繞組匝數(shù)的系統(tǒng)和方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211035456.2
• 申請(qǐng)日: 2022-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN115833596A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃秀成;李賓;杜韋靜;周云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 納維達(dá)斯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H02M3/335
• 分類號(hào): H02M3/335
• 代理公司: 北京市漢坤律師事務(wù)所 11602
• 代理人: 魏小薇;吳麗麗

1.一種電路，包含：

具有初級(jí)繞組、次級(jí)繞組和具有第一末端與第二末端輔助繞組的變壓器；

具有負(fù)極和正極的二極管，所述正極耦合于輔助繞組的第一末端；和

電容器，其具有耦合于輔助繞組第二末端的第一端子和耦合于負(fù)極的第二端子。

2.根據(jù)權(quán)利1要求所述的電路，二極管是第一二極管并且其中電路進(jìn)一步包含具有第二正極和第二負(fù)極的第二二極管，所述第二正極耦合于電容器的第二端子。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，還包含具有第三正極和第三負(fù)極的第三二極管，所述第三正極耦合于電容器的第一端子。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，還包含具有柵極端子、漏極端子和源端子的開關(guān)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其中漏極端子耦合于第二負(fù)極并且源端子耦合于第三負(fù)極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中柵極端子耦合于齊納二極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，還包含在柵極端子和第二負(fù)極之間耦合的電阻器。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其中開關(guān)是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其中開關(guān)是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。

10.一種電路，包含：

具有初級(jí)繞組、次級(jí)繞組和第一與第二輔助繞組，所述第一輔助繞組具有第一末端和第二末端；

具有負(fù)極和正極的二極管，所述正極耦合于第一輔助繞組的第一末端；

電容器，其具有耦合于第一輔助繞組第二末端的第一端子和耦合于負(fù)極的第二端子。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路，其中第二輔助繞組的第一末端耦合于第二輔助繞組。

12.根據(jù)權(quán)利10要求所述的電路，二極管是第一二極管并且其中電路進(jìn)一步包含具有第二正極和第二負(fù)極的第二二極管，所述第二正極耦合于電容器的第二端子。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電路，還包含具有第三正極和第三負(fù)極的第三二極管，所述第三正極耦合于電容器的第一端子。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電路，還包含具有柵極端子、漏極端子和源端子的開關(guān)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路，其中漏極端子耦合于第二負(fù)極并且源端子耦合于第三負(fù)極。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電路，其中柵極端子耦合于齊納二極管。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電路，還包含在柵極端子和第二負(fù)極之間耦合的電阻器。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路，其中開關(guān)是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路，其中開關(guān)是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電路，其中電路設(shè)置在初級(jí)繞組接收輸入電壓并且在第三負(fù)極生成輸出電壓，輸出電壓大幅度低于輸入電壓。