[發(fā)明專利]GaN襯底的刻蝕方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211034622.7
• 申請(qǐng)日: 2022-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN115376908A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李萍萍;林源為
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/28;C09K13/00;H01L33/00;H01L33/38
• 代理公司: 北京思創(chuàng)畢升專利事務(wù)所 11218
• 代理人: 廉莉莉

1.一種GaN襯底的刻蝕方法，其特征在于，包括：

在GaN襯底的頂面上形成第一掩膜層；

在所述第一掩膜層的表面制作圖案化的光刻膠層；

刻蝕步驟，利用刻蝕氣體連續(xù)刻蝕所述第一掩膜層和所述GaN襯底，以在所述GaN襯底形成由刻蝕溝槽相互隔離的多個(gè)微結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)具有設(shè)定的側(cè)壁傾角；

其中，所述刻蝕氣體包括氯基氣體、含溴氣體以及含硼氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述氯基氣體包括Cl₂，所述含硼氣體包括BCl₃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕氣體還包括碳氟類氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的刻蝕方法，其特征在于，所述氯基氣體包括Cl₂、BCl₃的至少其中之一，所述含硼氣體包括硼烷類氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕氣體還包括含氮類氣體，所述刻蝕氣體中的硼元素和氮元素的摩爾量相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含氮類氣體包括NH₃、N₂的至少其中之一。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，含溴元素的氣體為含氫元素和溴元素的氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的刻蝕方法，其特征在于，

所述硼烷類氣體流量范圍為5～20sccm；

所述碳氟類氣體流量范圍為20～50sccm；

所述含溴氣體流量范圍為40～100sccm；

所述含氮?dú)怏w流量范圍為20～80sccm；

所述氯基氣體流量范圍10～40sccm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，所述硼烷類氣體、所述含氮類氣體、所述碳氟類氣體以及所述含溴元素的氣體的流量之和為所述刻蝕氣體總流量的60％～80％。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，所述硼烷類氣體為B₂H₆，所述碳氟類氣體為CHF₃，所述含溴類氣體為HBr，所述含氮類氣體為NH₃，所述氯基類氣體為Cl₂和BCl₃。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料包括氧化硅、氮化硅的至少其中之一。