[發明專利]芯片封裝方法及封裝結構在審
| 申請號: | 202211032667.0 | 申請日: | 2017-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN115360101A | 公開(公告)日: | 2022-11-18 |
| 發明(設計)人: | 周輝星 | 申請(專利權)人: | PEP創新私人有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 方法 結構 | ||
1.一種芯片封裝方法,包括:
在晶圓的正面形成保護層,其中,所述晶圓的正面包括多個焊墊,所述保護層覆蓋所述多個焊墊,且所述保護層由激光反應性材料形成;
在所述保護層上與所述焊墊相對應的位置處采用激光一次形成一個的方式形成多個保護層開口,所述多個保護層開口曝露所述多個焊墊,其中,在所述多個保護層開口中填充導電介質,所述導電介質在所述多個保護層開口中形成豎直的連接結構,使得將所述芯片上的焊墊沿豎直方向引出至所述保護層表面;
將所述晶圓切割成多個待封裝芯片;
將正面形成有所述保護層的所述待封裝芯片貼裝于第一載板上,所述待封裝芯片的背面朝上,正面朝向所述第一載板;
形成密封層,所述密封層至少包裹在所述待封裝芯片的四周,以鎖止所述待封裝芯片的位置固定不變,其中,所述密封層的厚度小于所述待封裝芯片的厚度;
形成第一包封層,所述第一包封層形成在所述待封裝芯片背面以及露出的所述第一載板上;
剝離所述第一載板,曝露出所述保護層;
在露出的所述保護層的表面形成第一再布線層,所述第一再布線層通過所述保護層開口與所述焊墊電連接。
2.如權利要求1所述的方法,其中,將正面形成有保護層的所述待封裝芯片貼裝于第一載板上,包括:
在所述第一載板上形成粘接層;
將所述待封裝芯片通過所述粘接層粘貼于所述第一載板的預定位置處。
3.如權利要求1所述的方法,其中,所述密封層連續不間斷的覆蓋在所述第一載板上以及至少包裹在所述待封裝芯片的四周。
4.如權利要求3所述的方法,在剝離所述第一載板,曝露出所述保護層時,還包括:
同時曝露所述密封層,在露出的所述保護層的表面以及所述密封層的表面形成第一再布線層。
5.如權利要求4所述的方法,還包括:
在所述第一再布線層上形成第二包封層,并通過第一導電凸柱引出所述第一再布線層。
6.如權利要求5所述的方法,還包括:
在第二包封層上形成第二再布線層,所述第二再布線層通過所述第一導電凸柱與所述第一再布線層電連接;
在第二再布線層上形成第三包封層,并通過第二導電凸柱引出所述第二再布線層。
7.如權利要求5所述的方法,其中,在所述第一再布線層上形成第二包封層,并通過第一導電凸柱引出所述第一再布線層,包括:
在所述第一再布線層的連接點上形成第一導電凸柱;
在所述第一再布線層以及露出的保護層上形成第二包封層,并露出所述第一導電凸柱;或,
在所述第一再布線層上形成第二包封層,并通過第一導電凸柱引出所述第一再布線層,包括:
在所述第一再布線層以及露出的保護層上形成第二包封層;
在所述第二包封層上與所述第一再布線層的連接點對應的位置處形成第一開口;
在所述第一開口內形成第一導電凸柱。
8.如權利要求6所述的方法,其中,在第二再布線層上形成第三包封層,并通過第二導電凸柱引出所述第二再布線層,包括:
在所述第二再布線層的連接點上形成第二導電凸柱;
在所述第二再布線層以及露出的第二包封層上形成第三包封層,并露出所述第二導電凸柱;或,
在第二再布線層上形成第三包封層,并通過第二導電凸柱引出所述第二再布線層,包括:
在所述第二再布線層以及露出的第二包封層上形成第三包封層;
在所述第三包封層上與所述第二再布線層的連接點對應的位置處形成第二開口;
在所述第二開口內形成第二導電凸柱。
9.如權利要求1所述的方法,其中,在剝離所述第一載板,露出所述保護層之前,還包括:
在包封層上粘貼第二載板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





