[發明專利]一種離子源輔助沉積系統、沉積方法及真空鍍膜設備

有效

• 申請號: 202211032636.5
• 申請日: 2022-08-26
• 公開（公告）號: CN115354289B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 田修波;柏賀達
• 申請（專利權）人: 松山湖材料實驗室
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 王闖

1.一種離子源輔助沉積系統，其特征在于，包括陰極、陽極、進氣管、絕緣外殼和第一柵網；

所述陰極具有可濺射出電子的靶面，所述陰極接有陰極電源，且所述陰極電源為脈沖電源；

所述陽極環繞所述靶面設置，所述陽極突出于所述靶面，所述陽極接有陽極電源；

所述進氣管設有至少兩個，所述進氣管環繞所述靶面分布，所述進氣管的出口位于所述陰極與所述陽極之間；

所述絕緣外殼環繞所述靶面設置，以形成電離室，所述陽極位于所述電離室內；

所述第一柵網設于所述電離室內，并與所述靶面相對，所述第一柵網與所述絕緣外殼相連，所述第一柵網接有第一電源，所述第一電源為脈沖電源，所述第一電源施加于所述第一柵網的電壓與所述陰極電源施加于所述陰極的電壓耦合異步。

2.根據權利要求1所述的離子源輔助沉積系統，其特征在于，所述第一電源施加于所述第一柵網的電壓與所述陰極電源施加于所述陰極的電壓極性相同。

3.根據權利要求1所述的離子源輔助沉積系統，其特征在于，所述離子源輔助沉積系統還包括第二柵網，所述第二柵網設于所述電離室內，且位于所述第一柵網背向所述靶面的一側，所述第二柵網與所述絕緣外殼相連，所述第二柵網接有第二電源，所述第二電源為脈沖電源，所述第二電源施加于所述第二柵網的電壓與所述第一電源施加于所述第一柵網的電壓耦合異步。

4.根據權利要求3所述的離子源輔助沉積系統，其特征在于，所述第一電源施加于所述第一柵網的電壓、所述第二電源施加于所述第二柵網的電壓均與所述陰極電源施加于所述陰極的電壓極性相同。

5.根據權利要求3所述的離子源輔助沉積系統，其特征在于，所述第二電源施加于所述第二柵網的電壓與所述第一電源施加于所述第一柵網的電壓極性相反。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的離子源輔助沉積系統，其特征在于，所述陽極嵌設于所述絕緣外殼的內壁。

7.根據權利要求1所述的離子源輔助沉積系統，其特征在于，所述離子源輔助沉積系統還包括螺旋線圈，所述靶面位于所述陰極背向所述螺旋線圈的一側。

8.一種離子源輔助沉積方法，其特征在于，應用于如權利要求1-7中任一項所述的離子源輔助沉積系統，所述離子源輔助沉積方法包括：

將所述離子源輔助沉積系統安裝在真空室內，對所述真空室抽真空至1*10^-2Pa-1*10^-5Pa；

通過所述進氣管向所述電離室內輸送工作氣體，使所述真空室內的氣壓達到5*10^-1Pa；

打開所述陽極電源和所述陰極電源；

調節所述陰極的電壓，使所述陰極啟輝，然后降低所述工作氣體的流量，使所述真空室內的氣壓降至1*10^-1Pa。

9.一種真空鍍膜設備，其特征在于，包括如權利要求1-7中任一項所述的離子源輔助沉積系統。