[發(fā)明專利]電致發(fā)光顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211031225.4
• 申請(qǐng)日: 2022-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN115768190A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金容一;金炳震;樸珍權(quán);鄭宇晳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H10K59/123
• 分類號(hào): H10K59/123;H10K59/131;H10K59/124
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

本文公開了一種電致發(fā)光顯示裝置，其包括：基板，被劃分為顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；第一光阻擋層和數(shù)據(jù)線，設(shè)置在顯示區(qū)域中的基板上；第一緩沖層，設(shè)置在第一光阻擋層和數(shù)據(jù)線上；半導(dǎo)體層，設(shè)置在第一緩沖層的上部上并且由氧化物半導(dǎo)體制成；柵極絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體層上；柵電極，設(shè)置在柵極絕緣層上；保護(hù)層和第一平坦化層，設(shè)置在柵電極的上部上；漏電極，設(shè)置在通過去除第一平坦化層的部分區(qū)域而暴露的保護(hù)層上；第二平坦化層，設(shè)置在漏電極和第一平坦化層上；以及發(fā)光元件，設(shè)置在第二平坦化層的上部上并且包括陽極、發(fā)光部分和陰極。根據(jù)本公開，可以減少制造氧化物薄膜晶體管所需的掩模工藝的數(shù)量，從而提高生產(chǎn)率并減少工藝數(shù)量和材料成本。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2021年9月3日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2021-0117569和2021年12月16日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2021-0180509的優(yōu)先權(quán)，通過引用的方式將這些韓國專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容引入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種電致發(fā)光顯示裝置，并且更具體地，涉及一種使用氧化物薄膜晶體管的電致發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)

近來，隨著全面進(jìn)入信息時(shí)代，可視化地顯示電信息信號(hào)的顯示裝置正在迅速發(fā)展。正在不斷地進(jìn)行各種研究以開發(fā)出各種各樣的薄且重量輕、功耗低并且具有改進(jìn)的性能的顯示裝置。

作為代表性的顯示裝置，有液晶顯示裝置(LCD)、電潤濕顯示裝置(EWD)、有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)等。

在顯示裝置中，包括有機(jī)發(fā)光顯示裝置的電致發(fā)光顯示裝置是指自主發(fā)光的顯示裝置。與液晶顯示裝置不同，電致發(fā)光顯示裝置不需要單獨(dú)的光源，因此可以制造為重量輕且薄的顯示裝置。此外，電致發(fā)光顯示裝置在功耗方面是有利的，因?yàn)殡娭掳l(fā)光顯示裝置在低電壓下操作。此外，由于電致發(fā)光顯示裝置在顏色、響應(yīng)速度、視角和對(duì)比度(CR)的實(shí)施方面也很出色，因此期望在各種領(lǐng)域中采用電致發(fā)光顯示裝置。

電致發(fā)光顯示裝置被配置為使得由有機(jī)材料制成的發(fā)光層設(shè)置在稱為陽極和陰極的兩個(gè)電極之間。此外，當(dāng)從陽極向發(fā)光層注入正性空穴并且從陰極向發(fā)光層注入電子時(shí)，注入的電子和正性空穴發(fā)生復(fù)合并在發(fā)光層中產(chǎn)生激子。

發(fā)明內(nèi)容

本公開要實(shí)現(xiàn)的目的在于提供一種使用氧化物薄膜晶體管的電致發(fā)光顯示裝置，該氧化物薄膜晶體管是通過數(shù)量減少的掩模工藝而制成的。

本公開要實(shí)現(xiàn)的另一個(gè)目的是提供一種使用氧化物薄膜晶體管的電致發(fā)光顯示裝置，該氧化物薄膜晶體管具有通過阻擋來自密封層或外部的氫而改進(jìn)的特性。

本公開要實(shí)現(xiàn)的又一個(gè)目的是提供一種使用氧化物薄膜晶體管的電致發(fā)光顯示裝置，其中通過降低寄生電容來提高存儲(chǔ)電容器的充電速率。

本公開的目的不限于上述目的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過以下描述清楚地理解上述未提及的其他目的。

根據(jù)本公開的一方面，一種電致發(fā)光顯示裝置包括：基板，被劃分為顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；第一光阻擋層和數(shù)據(jù)線，設(shè)置在顯示區(qū)域中的基板上；第一緩沖層，設(shè)置在第一光阻擋層和數(shù)據(jù)線上；半導(dǎo)體層，設(shè)置在第一緩沖層的上部上并且由氧化物半導(dǎo)體制成；柵極絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體層上；柵電極，設(shè)置在柵極絕緣層上；保護(hù)層和第一平坦化層，設(shè)置在柵電極的上部上；漏電極，設(shè)置在通過去除第一平坦化層的部分區(qū)域而暴露的保護(hù)層上；第二平坦化層，設(shè)置在漏電極和第一平坦化層上；以及發(fā)光元件，設(shè)置在第二平坦化層的上部上并且包括陽極、發(fā)光部分和陰極。