[發(fā)明專利]存儲裝置及操作其的方法

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• 申請日: 2022-08-25
• 公開（公告）號: CN115995248A
• 公開（公告）日: 2023-04-21
• 發(fā)明（設計）人: 高秉涌;金雄來;鄭會柱;金生煥;吳倫娜;鄭喆文
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;李少丹

1.一種存儲裝置，包括：

存儲體，包括多個存儲塊，每個存儲塊被劃分為正常區(qū)域和行錘區(qū)域；

命令控制電路，適用于響應于激活命令對所述正常區(qū)域執(zhí)行訪問操作；

內部命令生成電路，適用于響應于預充電命令生成內部命令；

目標地址生成電路，適用于響應于所述內部命令通過對所述行錘區(qū)域執(zhí)行訪問操作來將接收到的地址的各邏輯電平組合的計數(shù)保存在所述行錘區(qū)域中，以及當所述計數(shù)滿足預設條件時將與所述計數(shù)對應的地址設置為目標地址；以及

刷新控制電路，適用于控制對所述目標地址的智能刷新操作。

2.根據(jù)權利要求1所述的存儲裝置，其中，所述內部命令生成電路響應于所述預充電命令生成所述內部命令中的內部激活命令，以及在經過預設時間之后生成所述內部命令中的內部預充電命令。

3.根據(jù)權利要求2所述的存儲裝置，其中，所述命令控制電路響應于所述激活命令激活所述存儲體，以及響應于所述內部預充電命令對所述存儲體進行預充電。

4.根據(jù)權利要求2所述的存儲裝置，其中，所述內部命令生成電路包括：

第一生成電路，適用于響應于所述預充電命令而使所述內部激活命令在所述預設時間期間使能；以及

第二生成電路，適用于在所述內部激活命令的激活區(qū)間中依次生成內部讀取命令和內部寫入命令，以及響應于禁止的內部激活命令生成所述內部預充電命令。

5.根據(jù)權利要求4所述的存儲裝置，其中，所述目標地址生成電路包括：

區(qū)域控制電路，適用于：增加通過對與輸入地址對應的行錘區(qū)域執(zhí)行內部讀取操作而讀取的計數(shù)，所述計數(shù)通過響應于所述內部讀取命令而被增序計數(shù)來增加；以及通過響應于所述內部寫入命令而執(zhí)行內部寫入操作來將增加的計數(shù)保存在與所述輸入地址對應的所述行錘區(qū)域中；

保存電路，適用于：將所述增加的計數(shù)與所保存的計數(shù)進行比較，當所述增加的計數(shù)大于所保存的計數(shù)時通過將所保存的計數(shù)替換為所述增加的計數(shù)來保存所述增加的計數(shù)并且生成標志信號，以及響應于重置信號重置所保存的計數(shù)；以及

目標地址輸出電路，適用于：響應于生成的標志信號將所述輸入地址存儲為所述目標地址，在所述智能刷新操作期間將所述目標地址輸出到所述存儲體，以及在所述智能刷新操作被執(zhí)行之后生成所述重置信號。

6.根據(jù)權利要求5所述的存儲裝置，其中，所述正常區(qū)域中包括的位線和所述行錘區(qū)域中包括的位線共用分段線。

7.根據(jù)權利要求6所述的存儲裝置，其中，所述區(qū)域控制電路：

在所述內部讀取操作期間，通過所述分段線讀取所述行錘區(qū)域中包括的第一存儲單元中的、耦接到與所述輸入地址對應的字線的第一選定存儲單元中保存的計數(shù)，

在所述內部寫入操作期間，通過所述分段線將所述增加的計數(shù)寫入所述第一選定存儲單元，以及

響應于所述重置信號而重置所述第一存儲單元中的、耦接到與所述目標地址對應的字線的目標存儲單元中保存的計數(shù)。

8.根據(jù)權利要求7所述的存儲裝置，其中，所述命令控制電路：

從所述正常區(qū)域中包括的第二存儲單元中的、耦接到與所述輸入地址對應的字線的第二選定存儲單元讀取第一數(shù)據(jù)，以及在正常讀取操作期間通過所述分段線輸出所讀取的第一數(shù)據(jù)，以及

在正常寫入操作期間，將通過所述分段線接收到的第二數(shù)據(jù)寫入所述第二選定存儲單元。

9.根據(jù)權利要求1所述的存儲裝置，其中，所述智能刷新操作包括：刷新所述存儲體中包括的多個字線中的、與對應于所述目標地址的字線相鄰布置的一個或多個字線的操作。