[發明專利]一種表面P型氧化鎵的制備方法

在審

• 申請號: 202211026540.8
• 申請日: 2022-08-25
• 公開（公告）號: CN115424940A
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 常晶晶;袁海東;蘇杰;林珍華;高香香;張進成;郝躍
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學蕪湖研究院
• 主分類號: H01L21/46
• 分類號: H01L21/46;H01L21/02;C01B32/194
• 代理公司: 西安智大知識產權代理事務所 61215
• 代理人: 段俊濤

1.一種表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，在襯底上生長氧化鎵層，然后通過表面功能化生長制備單層極性氫氟化石墨烯，最后采用轉印聚合物對所述極性氫氟化石墨烯進行二次轉移調整方向之后，轉移到所述氧化鎵層上，構建形成氧化鎵/極性氫氟化石墨烯異質結界面，利用異質結界面強烈的電荷轉移獲得無晶格受損的表面P型氧化鎵。

2.根據權利要求1所述表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底或藍寶石襯底。

3.根據權利要求1所述表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，所述生長氧化鎵層，采用化學氣相沉積法實現。

4.根據權利要求1所述表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，所述表面功能化生長制備極性氫氟化石墨烯，是通入有源氣體氫氣和氟氣分別對石墨烯層上下表面進行功能化修飾，從而獲得極性氫氟化石墨烯。

5.根據權利要求4所述表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，于管式爐中在銅箔襯底上制備所述石墨烯層，所述有源氣體的通入方式為：在900～1000℃下，先通入氮氣/氫氣混合氣體，再通入氮氣/氟氣混合氣體。

6.根據權利要求5所述表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，所述氮氣/氫氣混合氣體中，氮氣與氫氣的體積比為1:1；所述氮氣/氟氣混合氣體中，氮氣與氟氣的體積比為2:1。

7.根據權利要求5或6所述表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，所述氮氣/氫氣混合氣體的通入流量為40-60sccm，持續時間20-30min；所述氮氣/氟氣混合氣體的通入流量為80-100sccm，持續時間15-20min。

8.根據權利要求1所述表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，所述轉印聚合物為聚二甲基硅氧烷和/或聚甲基丙烯酸甲酯。

9.根據權利要求1所述表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，所述二次轉移調整方向，是指利用轉印聚合物從襯底上將極性氫氟化石墨烯轉移下來，此時極性氫氟化石墨烯的氟端接觸在轉印聚合物上，氫端暴露；然后再次利用轉印聚合物放置在氫端，去除氟端接觸的轉印聚合物，使氟端暴露。

10.根據權利要求1所述表面P型氧化鎵的制備方法，其特征在于，所述極性氫氟化石墨烯與氧化鎵接觸面為氟端，以保證其本征極性電場方向有效對氧化鎵表面進行空穴注入。