[發明專利]對包括氮化硅層的基板進行處理的方法

在審

• 申請號: 202211024996.0
• 申請日: 2022-08-25
• 公開（公告）號: CN115938930A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 權捧秀;裵世雄;宋銀眞
• 申請（專利權）人: TES股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01J37/32
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 霍莉莉;臧建明

1.一種基板處理方法，是在氧化硅層與氮化硅層交替堆疊的基板中對所述氮化硅層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，其特征在于，

包括將多種氣體等離子體化并對氮化硅層進行等離子體刻蝕的步驟，

所述多種氣體包含含有除三氟化氮以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且

對所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比進行調節，以對氮化硅層的厚度方向的刻蝕輪廓進行控制。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述氟與所述氫的原子比為15:1～35:1。

3.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一氣體為四氟化碳，

所述第二氣體為選自二氟甲烷、單氟甲烷、甲烷、氫、氨及三氟甲烷中的一種以上。

4.根據權利要求1或3所述的基板處理方法，其特征在于，

所述多種氣體額外包含氮及氧。

5.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述等離子體刻蝕在15MHz以上且小于60MHz的射頻頻率條件下執行。

6.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述等離子體刻蝕在電容性耦合等離子體模式下執行。

7.一種基板處理方法，是在氧化硅層與氮化硅層交替堆疊的基板中對所述氮化硅層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，其特征在于，

包括以下步驟：將多種氣體等離子體化，并以使最上部的氮化硅層的刻蝕率與最下部的氮化硅層的刻蝕率相同或者從最上部的氮化硅層到最下部的氮化硅層刻蝕率逐漸增加的方式對氮化硅層進行等離子體刻蝕，

所述多種氣體包含含有除三氟化氮以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且

所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比為22.5:1以上且35:1以下。

8.一種基板處理方法，是在氧化硅層與氮化硅層交替堆疊的基板中對所述氮化硅層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，其特征在于，

包括以下步驟：將多種氣體等離子體化，并以使從最上部的氮化硅層到最下部的氮化硅層刻蝕率逐漸減小的方式對氮化硅層進行等離子體刻蝕，

所述多種氣體包含含有除三氟化氮以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且

所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比為15:1以上且22.5:1小于。

9.根據權利要求7或8所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一氣體為四氟化碳，

所述第二氣體為選自二氟甲烷、單氟甲烷、甲烷、氫、氨及三氟甲烷中的一種以上。

10.根據權利要求7或8所述的基板處理方法，其特征在于，

所述等離子體刻蝕在15MHz以上且小于60MHz的射頻頻率條件下執行。