[發明專利]一種離子注入PEEK-Cu復合涂層及其制備方法與應用在審
| 申請號： | 202211024790.8 | 申請日： | 2022-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN115341255A | 公開（公告）日： | 2022-11-15 |
| 發明（設計）人： | 張鵬;曹琳;王啟偉;李杰 | 申請（專利權）人： | 暨南大學 |
| 主分類號： | C25D13/00 | 分類號： | C25D13/00;C25D13/22;A61L27/30;A61L27/34;A61L27/54 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 饒周全 |
| 地址： | 510632 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 離子 注入 peek cu 復合 涂層 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種離子注入PEEK-Cu復合涂層的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)將TaB2和PEEK的混合顆粒在殼聚糖懸浮液中分散均勻得到電泳沉積液；
(2)在電泳沉積液中進行電泳沉積，在陰極上沉積TaB2/PEEK復合涂層；
(3)將沉積TaB2/PEEK的樣品進行熱處理，隨爐冷卻；
(4)將Cu靶放入陰極電弧源，步驟(3)所得樣品放置于樣品臺抽真空，然后將氬氣以引入陰極電弧源，通過施加脈沖負高壓注入銅離子，得到離子注入PEEK-Cu復合涂層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(1)所述殼聚糖懸浮液的濃度為0.5～3g/L。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(1)電泳沉積液中TaB2的濃度為1～5wt％。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(1)電泳沉積液中PEEK的濃度為1～5wt％。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(1)電泳沉積液中TaB2的濃度為3wt％，PEEK的濃度為2.5wt％。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(2)所述電泳沉積的外加電壓為10-20V，外加電壓時間為10-240s。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(3)所述熱處理的溫度為350～450℃，熱處理的時間為40～90min。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(4)所述銅離子的注入劑量為1.0～6.0×1017ions·cm-2。
9.一種離子注入PEEK-Cu復合涂層，由權利要求1～8任一項所述方法制備得到。
10.權利要求9所述離子注入PEEK-Cu復合涂層在制備仿生材料中的應用。
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