[發(fā)明專利]薄膜晶體管、薄膜晶體管的制備方法及顯示面板

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• 申請日: 2022-08-24
• 公開（公告）號: CN115295609A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張合靜;林春燕;楊帆;鄭浩旋
• 申請（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 張莉

1.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極金屬層、漏極金屬層、源極金屬層、柵極絕緣層和有源層，所述柵極絕緣層位于所述柵極金屬層上方，所述有源層位于所述柵極絕緣層上方，所述漏極金屬層位于所述有源層上方；其特征在于，

所述薄膜晶體管還包括中間絕緣層，所述中間絕緣層位于所述有源層上方，所述源極金屬層位于所述中間絕緣層上方，所述中間絕緣層中具有第一過孔，所述源極金屬層通過所述第一過孔與所述有源層接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層上方，所述中間絕緣層位于所述刻蝕阻擋層上方，所述漏極金屬層位于所述刻蝕阻擋層上方，所述刻蝕阻擋層具有第二過孔和第三過孔，所述源極金屬層通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述有源層接觸，所述漏極金屬層通過所述第三過孔與所述有源層接觸。

3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述中間絕緣層還覆蓋了所述漏極金屬層，所述中間絕緣層和所述源極金屬層上方具有鈍化層，所述鈍化層上方具有氧化銦錫層，所述中間絕緣層還具有第四過孔，所述鈍化層具有第五過孔，所述漏極金屬層通過所述第四過孔和所述第五過孔與所述氧化銦錫層接觸。

4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極金屬層的內(nèi)邊緣與所述漏極金屬層的內(nèi)邊緣在垂直方向上平齊。

5.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極金屬層位于所述源極金屬層一側(cè)的外邊緣位于第一參考線以內(nèi)，所述柵極金屬層位于所述漏極金屬層一側(cè)的外邊緣位于第二參考線以內(nèi)，所述第一參考線為所述源極金屬層的外邊緣在垂直方向上的投影線，所述第二參考線為所述漏極金屬層的外邊緣在垂直方向上的投影線。

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極金屬層的長度等于所述薄膜晶體管的有效溝道長度，所述柵極金屬層的邊緣與所述有效溝道的邊緣平齊。

7.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在襯底上形成柵極金屬層；

在所述柵極金屬層上依次形成柵極絕緣層和有源層；

在所述有源層上形成漏極金屬層；

在所述有源層和所述漏極金屬層上形成中間絕緣層，并在所述中間絕緣層上形成第一過孔；

在所述中間絕緣層上形成源極金屬層，所述源極金屬層通過所述第一過孔與所述有源層接觸。

8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在所述有源層上形成漏極金屬層，包括：

在所述有源層上形成刻蝕阻擋層，并在所述刻蝕阻擋層上形成第二過孔和第三過孔，所述第二過孔用于所述源極金屬層與所述有源層接觸；

在所述刻蝕阻擋層上形成漏極金屬層，所述漏極金屬層通過所述第三過孔與所述有源層接觸。

9.如權(quán)利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述在所述中間絕緣層上形成源極金屬層之后，還包括：

在所述中間絕緣層位于所述漏極金屬層上方的區(qū)域內(nèi)形成第四過孔；

在所述漏極金屬層和所述源極金屬層上方形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成第五過孔；

在所述鈍化層上形成氧化銦錫層，所述漏極金屬層通過所述第四過孔和所述第五過孔與所述氧化銦錫層接觸。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括對盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板上具有如權(quán)利要求1～6中任一項所述的薄膜晶體管。