[發明專利]應用于降壓型DC-DC轉換器的頻率補償電路

在審

• 申請號: 202211022391.8
• 申請日: 2022-08-25
• 公開（公告）號: CN115313844A
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 西安水木芯邦半導體設計有限公司
• 主分類號: H02M1/44
• 分類號: H02M1/44;H02M1/00;H02M3/157;H02M3/158
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種應用于降壓型DC-DC轉換器的頻率補償電路，其特征在于：它包括導通時間調制模塊和導通時間產生模塊；

所述導通時間調制模塊根據電感電流采樣模塊對電感電流的采樣電流值，將產生導通時間的比較電壓信號V_TON調制為包含電感電流信息的電壓信號V_TONMOD，并將其出至導通時間產生模塊；導通時間產生模塊采用該包含電感電流信息的電壓信號V_TONMOD代替比較電壓信號V_TON來產生隨負載電流變化的導通時間；故在負載電流變化時，導通時間也會根據負載電流產生一定的變化，從而減小工作頻率的變化。

2.根據權利要求1所述的應用于降壓型DC-DC轉換器的頻率補償電路，其特征在于導通時間調制模塊，包括4個PMOS管M1～M4、1個NMOS管M11、1個誤差放大器、1個傳輸門以及4個電阻R1～R4；

所述第一PMOS管M1～第四PMOS管M4共同構成共源共柵電流鏡；所述第一PMOS管M1與第二PMOS管M2的柵極相連并連接至第三PMOS管M3的漏極，其源極共同連接至電源電壓VCC，第一PMOS管M1的漏極連接第三PMOS管M3的源極，第二PMOS管M2的漏極連接第四PMOS管M4的源極；所述第三PMOS管M3與第四PMOS管M4的柵極相連并連接偏置電壓V_B1；

所述誤差放大器EA的正相輸入端連接產生導通時間的比較電壓信號V_TON，負相輸入端與第一NMOS管M11的源極相連，其輸出端連接第一NMOS管M11的柵極；該第一NMOS管M11的漏極連接第三PMOS管M3的漏極；

所述第一電阻R1和第二電阻R2串聯跨接于第一NMOS管M11的源極與地GND之間；

所述第三電阻R3和第四電阻R4串聯跨接于第四NMOS管M4的漏極與地GND之間，該第三電阻R3和第四電阻R4的公共端與電感電流采樣模塊輸出的采樣電流I_S相連；

所述傳輸門TG1的輸入端與第四PMOS管M4的漏極相連，輸出端即為調制后的包含電感電流信息的電壓信號V_TONMOD。

3.根據權利要求1所述的應用于降壓型DC-DC轉換器的頻率補償電路，其特征在于導通時間產生模塊，包括4個PMOS管M1～M4，1個高壓NMOS管M11，2個低壓NMOS管M12～M13，1個誤差放大器EA，1個傳輸門TG2，1個比較器，3個電阻R_TON、R5、R6，3個電容C1～C3；

所述高壓NMOS管M11的漏極通過電阻R_TON連接輸入電壓V_IN，其柵極連接使能信號EN，其源極通過電阻R5連接到地GND；所述第一電容C1與電阻R5并聯；所述傳輸門TG2跨接于高壓NMOS管M11的源極與誤差放大器EA的正相輸入端；

所述誤差放大器EA的負相輸入端連接低壓NMOS管M12的源極，輸出端連接低壓NMOS管M12的柵極，該NMOS管M12的源極通過電阻R6連接到地GND；

所述第二電容C2跨接于誤差放大器EA的正相輸入端與地GND之間；

所述第一PMOS管M1～第四PMOS管M4共同構成共源共柵電流鏡；所述第一PMOS管M1與第二PMOS管M2的柵極相連并連接至第三PMOS管M3的漏極，其源極共同連接至電源電壓VCC，第一PMOS管M1的漏極連接第三PMOS管M3的源極，第二PMOS管M2的漏極連接第四PMOS管M4的源極；所述第三PMOS管M3與第四PMOS管M4的柵極相連并連接偏置電壓V_B2；所述第三PMOS管M3的漏極與低壓NMOS管M12的漏極相連；所述第四PMOS管M4的漏極通過第三電容C3連接到地GND；

所述低壓NMOS管M13的柵極連接控制信號DH，其源極連接到地GND，其漏極連接第四PMOS管M4的漏極；

所述比較器的正相輸入端連接導通時間調制模塊輸出的調制后的包含電感電流信息的電壓信號V_TONMOD；負相輸入端連接低壓NMOS管M13的漏極；其輸出端輸出T_ONMOD即為導通時間產生模塊的輸出電壓信號，T_ONMOD是會隨著負載電流變化的導通時間信號。