[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光元件和用于其的稠合多環(huán)化合物在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211021338.6 | 申請日: | 2022-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN115716843A | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 樸宣映;金泰一;樸俊河;白長烈;鮮于卿;沈文基;吳燦錫;鄭旼靜 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C07F5/02 | 分類號: | C07F5/02;C09K11/06;H10K85/60;H10K50/15;H10K50/11 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 元件 用于 稠合多 環(huán)化 | ||
本申請?zhí)峁┝擞袡C電致發(fā)光元件和用于其的稠合多環(huán)化合物。實施方式的有機電致發(fā)光元件包括相對設置的第一電極和第二電極,以及設置在第一電極和第二電極之間的多個有機層,其中多個有機層中的至少一個包括由式1表示的稠合多環(huán)化合物,從而顯示改善的發(fā)射效率:[式1]
相關申請的交叉引用
本申請要求于2021年8月24日提交的韓國專利申請第10-2021-0111762號的優(yōu)先權和權益,其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
技術領域
本公開的實施方式的一個或多個方面涉及有機電致發(fā)光元件,并且例如,涉及包括稠合多環(huán)化合物作為發(fā)光材料的有機電致發(fā)光元件。
背景技術
有機電致發(fā)光顯示器正被積極開發(fā)作為圖像顯示器。有機電致發(fā)光顯示器不同于液晶顯示器,并且是所謂的自發(fā)光顯示器,其中分別從第一電極和第二電極注入的空穴和電子在發(fā)射層中復合,使得在發(fā)射層中包括有機化合物的發(fā)光材料發(fā)射光以實現(xiàn)顯示。
在將有機電致發(fā)光元件應用于顯示器時,期望有機電致發(fā)光元件的降低的驅(qū)動電壓以及增加的發(fā)射效率和/或壽命(壽命期),并且期望用于穩(wěn)定地實現(xiàn)這些要求的有機電致發(fā)光元件的改善的材料。
例如,為了實現(xiàn)具有高效率的有機電致發(fā)光元件,最近正在開發(fā)能夠磷光發(fā)射(其使用三重態(tài)的能量)、延遲熒光發(fā)射(其使用通過三重態(tài)激子的碰撞產(chǎn)生單重態(tài)激子的現(xiàn)象(三重態(tài)-三重態(tài)湮滅,TTA))或熱激活延遲熒光(TADF)發(fā)射的材料。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的實施方式的一個或多個方面涉及具有改善的發(fā)射效率的有機電致發(fā)光元件。
本公開的一個或多個實施方式提供了有機電致發(fā)光元件,該有機電致發(fā)光元件包括第一電極、提供在第一電極上的空穴傳輸區(qū)、提供在空穴傳輸區(qū)上的發(fā)射層、提供在發(fā)射層上的電子傳輸區(qū)和提供在電子傳輸區(qū)上的第二電極,其中空穴傳輸區(qū)包括由式H-1表示的胺化合物,并且發(fā)射層包括由式1表示的稠合多環(huán)化合物。
[式1]
在式1中,X1至X4可各自獨立地為CRa1Ra2、NRa3、O、S或Se;R1至R5和Ra1至Ra3可各自獨立地為氫原子、氘原子、鹵原子、氰基、硝基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的1至20個碳原子的烷基、取代的或未取代的6至60個成環(huán)碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至60個成環(huán)碳原子的雜芳基,和/或與相鄰基團結(jié)合以形成環(huán);“a”可為選自0至3的整數(shù);“b”和“c”可各自獨立地為選自0至2的整數(shù);并且“d”和“e”可各自獨立地為選自0至4的整數(shù)。
[式H-1]
在式H-1中,L1和L2可各自獨立地為直接連接、取代的或未取代的6至30個成環(huán)碳原子的亞芳基或者取代的或未取代的2至30個成環(huán)碳原子的亞雜芳基;“m”和“n”可各自獨立地為選自0至10的整數(shù);Ar1和Ar2可各自獨立地為取代的或未取代的6至30個成環(huán)碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30個成環(huán)碳原子的雜芳基;并且Ar3為取代的或未取代的6至30個成環(huán)碳原子的芳基。
在實施方式中,發(fā)射層可發(fā)射延遲熒光。
在實施方式中,發(fā)射層可包括主體和摻雜劑,并且摻雜劑可包括由式1表示的稠合多環(huán)化合物。
在實施方式中,空穴傳輸區(qū)可包括設置在第一電極上的空穴注入層和設置在空穴注入層上的空穴傳輸層,并且空穴傳輸層可包括由式H-1表示的胺化合物。
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