[發明專利]下沉式封裝結構

在審

• 申請號: 202211021317.4
• 申請日: 2022-08-24
• 公開（公告）號: CN115458611A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 鄧仲豪;黃建諭;陳怡永;吳高彬
• 申請（專利權）人: 義明科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0203
• 分類號: H01L31/0203;H01L31/16;G01B11/02;G01V8/10;A61B5/024
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種下沉式封裝結構，其特征在于，包括：

一基板，具有一凹洞，該凹洞具有第一深度；

一光學感測芯片，設置在該凹洞中，且電性連接該基板，該光學感測芯片表面具有一第一感測區域，用以感測光線；以及

一殼體，覆蓋該基板與該光學感測芯片，該殼體包括一透光部分位于該第一感測區域的上方。

2.如權利要求1所述的下沉式封裝結構，其特征在于，更包括一金屬膜層形成于該凹洞的各個內壁及底部的表面，其中該光學感測芯片設置在該金屬膜層上。

3.如權利要求1所述的下沉式封裝結構，其特征在于，更包括：

一接地墊，設置在該光學感測芯片上，相鄰該第一感測區域；以及

一光源芯片，設置在該接地墊上，用以發出光線，該光源芯片與該接地墊電連接。

4.如權利要求3所述的下沉式封裝結構，其特征在于，該殼體包括一擋墻，位于該第一感測區域及該光源芯片之間。

5.如權利要求3所述的下沉式封裝結構，其特征在于，該光源芯片的中心點與該第一感測區域的中心點之間的距離大于或等于0.8mm。

6.如權利要求2所述的下沉式封裝結構，其特征在于，更包括：

一光源芯片，設置在該金屬膜層上，用以發出光線；

其中，該殼體包括一擋墻位于該光學感測芯片及該光源芯片之間。

7.如權利要求1所述的下沉式封裝結構，其特征在于，該光學感測芯片的表面更包括一第二感測區域，用以感測光線，該下沉式封裝結構更包括：

一第一偏振片，覆蓋該第一感測區域，具有一第一偏振方向；

一第二偏振片，覆蓋該第二感測區域，具有垂直于該第一偏振方向的第二偏振方向；

其中，該透光部分包含一四分之一波片，且該四分之一波片位于該第一偏振片及該第二偏振片的上方。

8.如權利要求1所述的下沉式封裝結構，其特征在于，該基板的防焊層的邊緣與該凹洞的邊緣之間的距離大于或等于200um，該凹洞的邊緣與該光學感測芯片的邊緣之間的距離大于或等于75um，該凹洞的邊緣與該下沉式封裝結構的邊緣之間的距離大于或等于100um。

9.如權利要求1所述的下沉式封裝結構，其特征在于，該基板的厚度為T，該第一深度為T/2±30um。

10.如權利要求1所述的下沉式封裝結構，其特征在于，該基板為無芯式載板。

11.如權利要求1所述的下沉式封裝結構，其特征在于，該光學感測芯片的厚度小于或等于該第一深度。