[發(fā)明專利]一種黑磷薄膜鈮酸鋰探測(cè)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211018947.6
• 申請(qǐng)日: 2022-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN115394873A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王俊嘉;吳曉萱;劉柳;薛煜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/109
• 分類號(hào): H01L31/109;H01L31/0264;G02B6/136;G02B6/13;G02B6/122;H01L27/30
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249
• 代理人: 沈廉

1.一種黑磷薄膜鈮酸鋰探測(cè)器，其特征在于，該探測(cè)器結(jié)構(gòu)自下而上依次為：第一層是本征硅襯底(1)、第二層是掩埋氧化物層(2)、第三層是薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)(3)、第四層是黑磷(4)、第五層是金屬電極；其中，掩埋氧化物層(2)直接在本征硅襯底(1)上氧化生成；薄膜鈮酸鋰鍵合在掩埋氧化物層(2)上通過刻蝕定義出縱向脊形的薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)(3)；黑磷(4)橫向覆蓋在薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)(3)脊形的中段部分，通過范德華力與薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)(3)緊密連接；第一金屬電極(5-1)、第二金屬電極(5-2)分別覆蓋在黑磷(4)和薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)(3)脊的兩邊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的黑磷薄膜鈮酸鋰探測(cè)器，其特征在于，所述的本征硅襯底(1)厚度為0.4-0.7毫米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的黑磷薄膜鈮酸鋰探測(cè)器，其特征在于，所述的掩埋氧化物層(2)的材質(zhì)為二氧化硅，厚度為1-3微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的黑磷薄膜鈮酸鋰探測(cè)器，其特征在于，所述的薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)(3)為脊形波導(dǎo)，包括上半部分的脊和下半部分的平板，脊寬為0.5-12微米，脊厚度為0.15-0.45微米，平板厚度為0.15-0.45微米，脊側(cè)壁與水平面夾角為50-90度，可支持單模或多模光場(chǎng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的黑磷薄膜鈮酸鋰探測(cè)器，其特征在于，所述的黑磷(4)覆蓋薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)，厚度為1-200納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的黑磷薄膜鈮酸鋰探測(cè)器，其特征在于，所述的第一金屬電極(5-1)覆蓋黑磷和薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)，厚度為50-100納米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的黑磷薄膜鈮酸鋰探測(cè)器，其特征在于，所述的第二金屬電極(5-2)覆蓋黑磷和薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)，厚度為50-100納米。