[發(fā)明專利]MOS器件的測試系統(tǒng)及測試方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211013531.5
• 申請日: 2022-08-23
• 公開（公告）號: CN115332228A
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發(fā)明（設計）人: 季祥海;曹成偉;劉林林;郭奧
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司;上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 張亞靜

1.一種MOS器件的測試系統(tǒng)，用于測試MOS器件中柵極到源漏接觸孔的寄生電容，所述MOS器件包括第二導電類型的注入阱，其特征在于，所述測試系統(tǒng)包括多柵測試結(jié)構(gòu)和輔助測試結(jié)構(gòu)；

所述多柵測試結(jié)構(gòu)包括位于基底中的第一注入阱，所述第一注入阱為第一導電類型注入阱，第一導電類型與第二導電類型相反，所述第一注入阱上方形成有間隔分布的多個主柵極，每個所述主柵極兩側(cè)的基底上方形成有設定數(shù)量的第一源漏接觸孔；

所述輔助測試結(jié)構(gòu)包括位于基底中的第二注入阱，所述第二注入阱為第一導電類型注入阱，所述第二注入阱上方形成有間隔分布的多個輔助柵極，每個所述輔助柵極兩側(cè)的基底上方形成有設定數(shù)量的第二源漏接觸孔；一個所述輔助柵極對應一個所述主柵極，每個所述輔助柵極兩側(cè)的第二源漏接觸孔的數(shù)量與對應的所述主柵極兩側(cè)的第一源漏接觸孔的數(shù)量不同。

2.如權(quán)利要求1所述的測試系統(tǒng)，其特征在于，部分數(shù)量的所述主柵極兩側(cè)的第一源漏接觸孔數(shù)量與其余的所述主柵極兩側(cè)的第一源漏接觸孔數(shù)量不同，和/或，部分數(shù)量的所述輔助柵極兩側(cè)的第二源漏接觸孔數(shù)量與其余的所述輔助柵極兩側(cè)的第二源漏接觸孔數(shù)量不同。

3.如權(quán)利要求1所述的測試系統(tǒng)，其特征在于，所述主柵極兩側(cè)的基底中均形成有第一源漏摻雜區(qū)，所述第一源漏摻雜區(qū)位于所述第一注入阱的頂部，所述第一源漏接觸孔位于所述第一源漏摻雜區(qū)的基底上方；所述輔助柵極兩側(cè)的基底中均形成有第二源漏摻雜區(qū)，所述第二源漏摻雜區(qū)位于所述第二注入阱的頂部，所述第二源漏接觸孔位于所述第二源漏摻雜區(qū)的基底上方；所述第一源漏摻雜區(qū)和所述第二源漏摻雜區(qū)均為第一導電類型。

4.如權(quán)利要求3所述的測試系統(tǒng)，其特征在于，所述多個主柵極沿相同的方向伸長，相鄰兩個所述主柵極之間的基底中的第一源漏摻雜區(qū)作為共用源漏摻雜區(qū)；所述多個輔助柵極沿相同的方向伸長，相鄰兩個所述輔助柵極之間的基底中的第二源漏摻雜區(qū)作為共用源漏摻雜區(qū)。

5.一種MOS器件的測試方法，用于測試MOS器件中柵極到源漏接觸孔的寄生電容，所述MOS器件包括第二導電類型的注入阱，其特征在于，所述測試方法包括：

提供如權(quán)利要求1至4任一項所述的測試系統(tǒng)，所述測試系統(tǒng)包括多柵測試結(jié)構(gòu)和輔助測試結(jié)構(gòu)；

將所述多柵測試結(jié)構(gòu)中的多個主柵極進行組合形成多個主柵極組合，分別對多個所述主柵極組合進行主柵極到第一源漏接觸孔的電容測試獲得多個第一電容；

將所述輔助測試結(jié)構(gòu)中的多個輔助柵極進行組合形成多個輔助柵極組合，分別對多個所述輔助柵極組合進行輔助柵極到第二源漏接觸孔的電容測試獲得多個第二電容；一個所述輔助柵極組合對應一個所述主柵極組合，一個所述第二電容對應一個所述第一電容；

將每個所述第一電容與對應的所述第二電容相減，獲得多個寄生電容，每個所述寄生電容對應一個源漏接觸孔數(shù)量；以及

對多個所述寄生電容和對應的源漏接觸孔數(shù)量進行擬合，獲得柵極到源漏接觸孔的寄生電容與源漏接觸孔數(shù)量的關(guān)系。

6.如權(quán)利要求5所述的測試方法，其特征在于，對于相對應的主柵極組合和輔助柵極組合，所述主柵極組合對應的第一源漏接觸孔的數(shù)量為A，所述輔助柵極組合對應的第二源漏接觸孔的數(shù)量為B，所述主柵極組合和所述輔助柵極組合對應的寄生電容對應的源漏接觸孔數(shù)量為A減B的數(shù)值。

7.如權(quán)利要求5所述的測試方法，其特征在于，每個所述主柵極兩側(cè)的基底中均形成有第一源漏摻雜區(qū)，所述多個主柵極沿相同的方向伸長，相鄰兩個所述主柵極之間的基底中的第一源漏摻雜區(qū)為共用源漏摻雜區(qū)；每個所述輔助柵極兩側(cè)的基底中均形成有第二源漏摻雜區(qū)，所述多個輔助柵極沿相同的方向伸長，相鄰兩個所述輔助柵極之間的基底中的第二源漏摻雜區(qū)為共用源漏摻雜區(qū)。