[發(fā)明專利]補(bǔ)償電路元件中的沉積不均勻性

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211009872.5
• 申請(qǐng)日: 2017-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN115480457A
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B.J.伯克特;R.巴倫德斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 谷歌有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F1/70;H01L39/24;B82Y10/00;B82Y40/00;C23C14/54;C23C16/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金玉潔

1.一種制造電路元件的方法，包括：

獲得包括表征至少一個(gè)掩模特征的掩模信息的光刻掩模寫入文件；

獲得均勻性函數(shù)，該均勻性函數(shù)被配置為修改表征所述至少一個(gè)掩模特征的掩模信息以補(bǔ)償不均勻沉積過程；

將均勻性函數(shù)應(yīng)用于光刻掩模寫入文件以獲得修改的光刻掩模寫入文件；和

按照修改的光刻掩模寫入文件的指示執(zhí)行光刻。