[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211009054.5
• 申請(qǐng)日: 2022-08-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115332313A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何政;吳瓊;唐怡
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

有源柱，所述有源柱包括溝道區(qū)以及分布于所述溝道區(qū)兩側(cè)的源漏區(qū)；

柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)至少?lài)@部分所述溝道區(qū)，所述溝道區(qū)包括外圍部和中心部，所述外圍部位于所述柵極結(jié)構(gòu)與所述中心部之間，所述源漏區(qū)和所述外圍部均具有第一摻雜類(lèi)型，所述中心部具有第二摻雜類(lèi)型，所述第一摻雜類(lèi)型為N型或者P型中的一者，所述第二摻雜類(lèi)型為N型或者P型中的另一者。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)為全環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)；所述外圍部全環(huán)繞所述中心部，所述柵極結(jié)構(gòu)全環(huán)繞所述外圍部。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)為局部環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述外圍部的部分表面。

4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有源柱的形狀包括圓柱或者長(zhǎng)方體柱。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)為半環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)；未被所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的所述溝道區(qū)露出所述中心部的表面。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有源柱為長(zhǎng)方體柱，所述柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述有源柱的部分頂面以及相對(duì)的部分側(cè)面，所述有源柱的底面露出所述中心部的表面。

7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：相對(duì)設(shè)置且相分立的第一柵極結(jié)構(gòu)以及第二柵極結(jié)構(gòu)；所述外圍部包括：

第一外圍部，所述第一外圍部位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述中心部之間；

第二外圍部，所述第二外圍部位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述中心部之間。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述外圍部的厚度與所述溝道區(qū)的厚度比值在0.01-0.95范圍內(nèi)。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述中心部的摻雜濃度為1×10¹⁵atom/cm³～1×10¹⁹atom/cm³。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述外圍部的摻雜濃度小于或等于所述源漏區(qū)的摻雜濃度。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源漏區(qū)的摻雜濃度為1×10¹⁸atom/cm³～1×10²¹atom/cm³；所述外圍部的摻雜濃度為1×10¹⁶atom/cm³～1×10²⁰atom/cm³。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在朝向所述中心部的方向上，所述外圍部的摻雜濃度逐漸降低。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一摻雜類(lèi)型為N型，所述柵極結(jié)構(gòu)導(dǎo)電層的功函數(shù)大于4.6eV；或者，所述第一摻雜類(lèi)型為P型，所述柵極結(jié)構(gòu)導(dǎo)電層的功函數(shù)小于4.6eV。

14.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供有源柱，在所述有源柱中形成溝道區(qū)以及分布于所述溝道區(qū)兩側(cè)的源漏區(qū)；

形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)至少?lài)@部分所述溝道區(qū)，所述溝道區(qū)包括外圍部和中心部，所述外圍部位于所述柵極結(jié)構(gòu)與所述中心部之間，所述源漏區(qū)和所述外圍部均具有第一摻雜類(lèi)型，所述中心部具有第二摻雜類(lèi)型，所述第一摻雜類(lèi)型為N型或者P型中的一者，所述第二摻雜類(lèi)型為N型或者P型中的另一者。