[發明專利]一種鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法和鈣鈦礦太陽能電池有效
| 申請號: | 202211003358.0 | 申請日: | 2022-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN115084395B | 公開(公告)日: | 2022-11-15 |
| 發明(設計)人: | 肖平;趙政晶;趙志國;趙東明;李新連;蔡子賀;劉云;伏豐義;秦文濤 | 申請(專利權)人: | 中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司;華能新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王歡 |
| 地址: | 102209 北京市昌平區北七*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 吸收 空穴 傳輸 界面 處理 方法 太陽能電池 | ||
1.一種鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法,包括以下步驟:
在空穴傳輸層上制備含釩納米薄膜后450~550℃下退火;所述450~550℃下退火的空氣分壓為1000~10000Pa,時間6min以上;
或在空穴傳輸層上將含釩納米粉體250~350℃下退火后形成分散液,烘干,得到鈍化層;所述250~350℃下退火的空氣分壓為1×103Pa~1×105Pa,時間50s以上;
再在所述鈍化層上制備鈣鈦礦吸收層;
所述鈍化層的組成為V1-x1Mx1Oy;0≤x1≤1;2y2.5;
所述M選自Mg、Cu、Cr、W、Nb、Mo、B、H、Zr、Sn、La和Ti中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的處理方法,其特征在于,所述鈍化層為P型摻雜的VO2納米粉體層或P型摻雜的VO2薄膜層。
3.根據權利要求1所述的處理方法,其特征在于,所述鈣鈦礦吸收層按照以下方法制得:
配置碘化鉛和碘化銫的混合溶液,得到PbI2前驅體溶液;
將甲脒氫碘酸鹽和氯化甲胺的混合溶液,得到有機鹽溶液;
在所述鈍化層上涂覆PbI2前驅體溶液,再涂覆有機鹽溶液,退火,形成鈣鈦礦吸收層。
4.一種鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,包括依次設置的基底、空穴傳輸層、鈍化層和鈣鈦礦吸收層;
所述鈍化層為權利要求1~3任一項所述處理方法形成的鈍化層。
5.根據權利要求4所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述鈍化層的厚度小于等于30微米。
6.根據權利要求4所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述空穴傳輸層為NiOx2薄膜(x2≤1)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





