[發明專利]一種轉印擴散膜的制備方法

在審

• 申請號: 202211000502.5
• 申請日: 2022-08-19
• 公開（公告）號: CN115356894A
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發明（設計）人: 李紅軍;楊晉
• 申請（專利權）人: 安徽思瑞盟新材料有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/16;G03F7/30;G03F7/40;G02B5/02
• 代理公司: 合肥東信智谷知識產權代理事務所(普通合伙) 34143
• 代理人: 劉寒冰

1.一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：所述制備方法包括以下步驟：

S1：改性微結構模具預制

A、滴加光刻膠后通過硅片甩膠，取下硅片并依次烘干、通過紫外光照射、曝光、二次烘干后顯影并清洗得到光刻母模板；

B、配置聚二甲基硅氧烷抽真空后，澆注在光刻母膜板上，放于真空干燥烘箱中固化，聚二甲基硅氧烷固化脫模后得到改性微結構模具；

S2：擴散膜制備

C、低聚物、單體、光引發劑和添加劑按照比例，通過均勻混合、抽真空以及靜置后得到光固化物料；

D、光固化物料均勻涂敷在基材上，用改性微結構模具壓印，并通過紫外光源照射使光固化物料固化在基材表面得到具有表面微結構的轉印擴散膜。

2.根據權利要求1所述的一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：步驟S1中，光刻膠滴加到硅片的正中間區域，靜置1min開始甩膠，第一轉速500rad/min，持續10s，第二轉速2000rad/min，持續30s。

3.根據權利要求2所述的一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：步驟S1中，硅片第一次烘干選用溫度65℃以及100℃的烘膠臺，先于65℃條件熱烘1min，然后換至100℃熱烘5min。

4.根據權利要求3所述的一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：步驟S1中，顯影時，硅片置于顯影液中，顯影1.5min后取出，采用異丙醇溶液和去離子水淋洗硅片表面，再用壓縮空氣吹干。

5.根據權利要求4所述的一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：步驟S1中，聚二甲基硅氧烷按聚合體與固化劑10:1的重量比例配置，配置后抽真空處理，真空干燥烘箱常溫抽氣1h，然后提高烘箱溫度為150℃，靜置10min。

6.根據權利要求1-5任一項所述的一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：所述聚二甲基硅氧烷物料所處環境室溫常溫為25-30℃，置于真空狀態的烘箱36h。

7.根據權利要求1所述的一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：所述基材為PC薄膜。

8.根據權利要求7所述的一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：所述低聚物、單體、光引發劑和添加劑的配比為1:1:0.2:0.3。

9.根據權利要求8所述的一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：所述低聚物為聚氨酯丙烯酸酯，所述添加劑為流平劑。

10.根據權利要求9所述的一種轉印擴散膜的制備方法，其特征在于：所述單體為乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯、二縮三丙二醇二丙烯酸酯以及三羥甲基丙烷三丙烯酸酯。