[發明專利]一種p-GaN氮化鎵基晶體管結構在審
| 申請號： | 202210994568.4 | 申請日： | 2022-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN115172444A | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發明（設計）人： | 劉丹 | 申請（專利權）人： | 晶通半導體（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳市中融創智專利代理事務所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 李朦;葉垚平 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區梅林街道梅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 氮化 晶體管 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種p-GaN氮化鎵基晶體管結構，其特征在于:自下而上依次包括：
襯底、緩沖層、GaN層及AlGaN層，在所述AlGaN層上還設有源極、漏極和p-GaN帽層；
所述p-GaN帽層上設有柵極，所述p-GaN帽層和所述柵極之間至少設有一層絕緣層。
2.根據權利要求1所述的一種p-GaN氮化鎵基晶體管結構，其特征在于：所述絕緣層設有至少一層，所有所述絕緣層位于所述p-GaN帽層和所述柵極之間。
3.根據權利要求1所述的一種p-GaN氮化鎵基晶體管結構，其特征在于：所述絕緣層與所述p-GaN帽層之間還設置有n-GaN層，所述柵極、絕緣層、n-GaN層及所述p-GaN帽層依次疊層設置。
4.根據權利要求1所述的一種p-GaN氮化鎵基晶體管結構，其特征在于：所述絕緣層與所述p-GaN帽層之間還設置有無摻雜GaN層，所述柵極、絕緣層、無摻雜GaN層及所述p-GaN帽層依次疊層設置。
5.根據權利要求1所述的一種p-GaN氮化鎵基晶體管結構，其特征在于：所述絕緣層包覆所述p-GaN帽層的外周側。
6.根據權利要求1所述的一種p-GaN氮化鎵基晶體管結構，其特征在于：所述絕緣層包覆所述p-GaN帽層、源極和漏極的外周側，且所述源極和所述漏極區域開設有接觸孔。
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