[發明專利]一種異位成核的雙層MoS2 在審
| 申請號： | 202210992813.8 | 申請日： | 2022-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN115156524A | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發明（設計）人： | 周喻;李成;范秀蓮;鄒路瑋 | 申請（專利權）人： | 中南大學 |
| 主分類號： | B22F1/054 | 分類號： | B22F1/054;C23C16/30;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 蘇州科洲知識產權代理事務所(普通合伙) 32435 | 代理人： | 周亮 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 成核 雙層 mos base sub | ||
1.一種異位成核的雙層MoS2納米片，其特征在于，所述異位成核的雙層MoS2納米片由上下兩層MoS2納米片堆疊而成，其中頂層MoS2的成核位點偏離底層MoS2的中心位置。
2.一種異位成核的雙層MoS2納米片制備方法，其特征在于，所述方法為利用化學氣相沉積在襯底表面一步生長雙層MoS2納米片，其中在化學氣相沉積裝置的石英管中，襯底以沿著氣流方向水平傾斜適當的角度放于鉬蒸發源上方。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述襯底傾斜1-3°放于鉬蒸發源上方，所述襯底為SiO2/Si襯底，所述鉬蒸發源為三氧化鉬。
4.根據權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，襯底為兩個或多個，所述兩個或多個襯底以擾動氣流的形式疊放在鉬蒸發源上方，且相鄰的襯底間垂直高度為3mm左右。
5.根據權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
(1)將三氧化鉬粉末作為鉬蒸發源，氯化鈉作為助熔劑，單質硫粉末作為硫蒸發源，沿氣流方向依次將硫蒸發源、鉬蒸發源、襯底放置在石英管內對應溫度區間中；
(2)將SiO2/Si襯底以擾動氣流的形式放于鉬蒸發源上方；
(3)使用惰性氣體排出石英管內空氣后，加熱管式爐，并持續通入適量的惰性氣體作為載氣，完成MoS2納米片的生長。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，鉬蒸發源對應溫度區間為650-720℃，優選為680-700℃；硫蒸發源對應溫度區間為170-220℃，優選為190-200℃；所述SiO2/Si襯底對應溫度區間為650-720℃，優選為680-700℃。
7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣，所述載氣流量10-50sccm，優選為20-30sccm。
8.根據權利要求2-7中制備方法獲得的異位成核的雙層MoS2納米片，其特征在于，上層MoS2晶粒邊長為2-5μm，下層MoS2晶粒邊長為3-15μm。
9.根據權利要求8所述的異位成核的雙層MoS2納米片，其特征在于，所述MoS2晶疇為近似三角形或六邊形。
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