[發(fā)明專利]一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置與方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210991957.1 | 申請(qǐng)日： | 2022-08-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115449780A | 公開（公告）日： | 2022-12-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王濤;汪加豪;王信;饒思賢;項(xiàng)騰飛;時(shí)禮平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 安徽工業(yè)大學(xué);安徽工業(yè)大學(xué)蕪湖技術(shù)創(chuàng)新研究院 |
| 主分類號(hào)： | C23C16/513 | 分類號(hào)： | C23C16/513;C23C16/455;C23C8/36;H05H1/00 |
| 代理公司： | 合肥市科深知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34235 | 代理人： | 李丹丹 |
| 地址： | 243000 安*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 等離子體 射流 快速 制備 親疏 水微流道 裝置 方法 | ||
1.一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置，其特征在于，包括多個(gè)并列設(shè)置的發(fā)生器單元體(1)及位于發(fā)生器單元體(1)下方的基板(14)；
所述發(fā)生器單元體(1)包括：依次并排連接的左等離子體發(fā)生器(101)、中間等離子體發(fā)生器(104)和右等離子體發(fā)生器(107)；
疏水氣源B，其分別與左等離子體發(fā)生器(101)、右等離子體發(fā)生器(107)相連通；
親水氣源B(8)，其與中間等離子體發(fā)生器(104)相連通；
功率電源A(4)，其分別與左等離子體發(fā)生器(101)、右等離子體發(fā)生器(107)相連接；
功率電源B(5)，其與中間等離子體發(fā)生器(104)相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置，其特征在于，所述左等離子體發(fā)生器(101)、中間等離子體發(fā)生器(104)和右等離子體發(fā)生器(107)之間通過膠接或焊接并列相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置，其特征在于，還包括左金屬絲電極(3)、中間金屬絲電極(6)、右金屬絲電極(7)，所述左金屬絲電極(3)、中間金屬絲電極(6)、右金屬絲電極(7)分別插接在左等離子體發(fā)生器(101)、中間等離子體發(fā)生器(104)和右等離子體發(fā)生器(107)內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置，其特征在于，所述左等離子體發(fā)生器(101)、中間等離子體發(fā)生器(104)和右等離子體發(fā)生器(107)的一端分別開設(shè)有左電極孔(103)、中間電極孔(106)、右電極孔(109)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置，其特征在于，所述左等離子體發(fā)生器(101)、中間等離子體發(fā)生器(104)和右等離子體發(fā)生器(107)上分別還設(shè)置有左空腔(1012)、中心空腔(1011)、右空腔(1010)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置，其特征在于，所述功率電源A(4)同時(shí)與左金屬絲電極(3)、右金屬絲電極(7)相連接；所述功率電源B(5)與中間金屬絲電極(6)相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置，其特征在于，所述左等離子體發(fā)生器(101)、中間等離子體發(fā)生器(104)和右等離子體發(fā)生器(107)上分別設(shè)置有左進(jìn)氣口(102)、中間進(jìn)氣口(105)、右進(jìn)氣口(108)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置，其特征在于，所述疏水氣源A(2)為四氟化碳?xì)怏w、六甲基二硅氧烷與氬氣中的一種或多種混合的氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的裝置，其特征在于，所述親水氣源B(8)為氧氣。
10.一種等離子體射流快速制備親疏水微流道的方法，其特征在于，所述的方法基于權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的裝置實(shí)現(xiàn)，所述的方法包括以下步驟：
步驟S1：開啟功率電源A(4)、功率電源B(5)，并通入疏水氣源A(2)與親水氣源B(8)后，左等離子體發(fā)生器(101)、中間等離子體發(fā)生器(104)和右等離子體發(fā)生器(107)將分別生成左等離子體射流(15)、中間等離子體射流(9)和右等離子體射流(10)；
步驟S2：移動(dòng)發(fā)生器單元體(1)使得產(chǎn)生的左等離子體射流(15)、中間等離子體射流(9)和右等離子體射流(10)作用于基板(14)上；左等離子體射流(15)將在基板(14)上沉積一層左疏水膜(13)，右等離子體射流(10)將在基板(14)上沉積一層右疏水膜(11)，中間等離子體射流(9)將在基板(14)上沉積一層親水膜(12)；
步驟S3：基板(14)上沉積的左疏水膜(13)、親水膜(12)與右疏水膜(11)將圍成一條親疏水微流道；
步驟S4：將發(fā)生器單元體(1)移動(dòng)不同軌跡，將制備出具有不同圖案的親疏水微流道。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
