[發明專利]在存儲器裝置處進行錯誤校正的技術

在審

• 申請號: 202210985505.2
• 申請日: 2022-08-17
• 公開（公告）號: CN116072205A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 湯立華;董喬華
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44;G11C29/42
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 江泰維

本申請案涉及用于在存儲器裝置處進行錯誤校正的技術。在一些實例中，作為傳輸用以存取存儲于存儲器裝置處的數據的命令的部分，主機裝置可向所述存儲器裝置傳輸經組合錯誤控制碼，所述經組合錯誤控制碼可使用所述命令及相關聯反轉信息產生。所述存儲器裝置可使用所述接收到的經組合錯誤控制碼對所述命令及所述反轉信息兩者執行錯誤控制程序。在一些實例中，當處于直接鏈路錯誤控制碼程序模式中時，所述主機系統可傳輸用以存取存儲于所述存儲器裝置處的數據的命令。所述主機系統可使用相同引腳或通道傳輸用于所述命令的錯誤控制碼及用于所述相關聯數據的錯誤控制碼兩者。

交叉參考

本專利申請案主張由唐(TANG)等人在2021年10月29日申請的標題為“在存儲器裝置處進行錯誤校正的技術(TECHNIQUES?FOR?ERROR?CORRECTION?AT?A?MEMORY?DEVICE)”的第17/515,033號美國專利申請案的優先權，所述美國專利申請案被轉讓給其受讓人且以引用方式明確并入本文中。

技術領域涉及在存儲器裝置處進行錯誤校正的技術。

背景技術

存儲器裝置廣泛用于在各種電子裝置中存儲信息，所述電子裝置例如計算機、用戶裝置、無線通信裝置、相機、數字顯示器及類似物。信息通過將存儲器裝置內的存儲器單元編程到各種狀態來存儲。舉例來說，二進制存儲器單元可被編程到通常由邏輯1或邏輯0標示的兩種支持狀態中的一者。在一些實例中，單個存儲器單元可支持多于兩種狀態，其中任一者可被存儲。為了存取經存儲信息，組件可讀取或感測存儲器裝置中的至少一個經存儲狀態。為了存儲信息，組件可在存儲器裝置中寫入或編程狀態。

存在各種類型的存儲器裝置及存儲器單元，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、靜態RAM(SRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)、自選擇存儲器、硫屬化物存儲器技術及其它。存儲器單元可為易失性或非易失性的。非易失性存儲器(例如FeRAM)可甚至在不存在外部電源的情況下存儲其所存儲邏輯狀態達延長時段。易失性存儲器裝置(例如DRAM)在與外部電源斷開時可能丟失其經存儲狀態。

發明內容

描述了一種方法。所述方法可包含：從主機裝置接收用于存取存儲器裝置的命令、不同于與所述命令相關聯的數據的反轉信息以及與所述反轉信息及所述命令相關聯的第一錯誤控制碼；使用與所述命令及所述反轉信息相關聯的所述第一錯誤控制碼對所述命令及所述反轉信息執行錯誤控制程序；以及至少部分基于執行所述錯誤控制程序設置指示所述錯誤控制程序的狀態的所述存儲器裝置的旗標。

描述了一種方法。所述方法可包含：在存儲器裝置的第一模式期間經由第一引腳從主機裝置接收與用于存取所述存儲器裝置的命令相關聯的第一錯誤控制碼及與將存儲于所述存儲器裝置中的數據相關聯的第二錯誤控制碼；經由第二引腳從所述主機裝置接收將存儲于所述存儲器裝置中的所述數據；使用所述第一錯誤控制碼對所述命令執行錯誤控制程序；以及將所述第二錯誤控制碼存儲于所述存儲器裝置的第一存儲器陣列中。

描述了一種設備。所述設備可包含與存儲器裝置相關聯的控制器。所述控制器可經配置以致使所述設備：從主機裝置接收用于存取所述存儲器裝置的命令、不同于與所述命令相關聯的數據的反轉信息以及與所述反轉信息及所述命令相關聯的第一錯誤控制碼；使用與所述命令及所述反轉信息相關聯的所述第一錯誤控制碼對所述命令及所述反轉信息執行錯誤控制程序；以及至少部分基于執行所述錯誤控制程序設置指示所述錯誤控制程序的狀態的所述存儲器裝置的旗標。

附圖說明

圖1說明根據本文中所公開的實例的支持用于在存儲器裝置處進行錯誤校正的技術的系統的實例。

圖2說明根據本文中所公開的實例的支持用于在存儲器裝置處進行錯誤校正的技術的框圖的實例。