[發(fā)明專利]一種WSTi6421鈦合金的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210983904.5 | 申請(qǐng)日: | 2022-08-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115386753B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉向宏;王凱旋;王文盛;田彥文;夏勇;王陽(yáng)陽(yáng);杜予晅;馮勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西部超導(dǎo)材料科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C22C1/03 | 分類號(hào): | C22C1/03;C22C14/00;B23K10/02 |
| 代理公司: | 西安新動(dòng)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61245 | 代理人: | 苗凌 |
| 地址: | 710018 陜西省西*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 wsti6421 鈦合金 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種WSTi6421鈦合金的制備方法,包括如下步驟:S1、將海綿鈦、海綿鋯、TiSi中間合金和AlMoNb三元合金顆粒進(jìn)行混料,并將其壓制成多根正六邊形電極棒;S2、采用非鎢極氬氣保護(hù)等離子焊接方法將S2壓制完成的多根電極棒焊接成一根自耗電極;S3、將S2得到的自耗電極置于真空自耗電弧爐中進(jìn)行三次熔煉,得到WSTi6421合金鑄錠。該方法成功突破了工業(yè)1噸到8噸級(jí)大規(guī)格鑄錠化學(xué)成分均勻性控制技術(shù),控制了鋁元素在熔煉過(guò)程中的燒損,避免了高熔點(diǎn)鉬、鉻、鈮元素不熔塊等冶金缺陷,有效地解決了成分偏析,雜質(zhì)和間隙元素的含量控制、批次穩(wěn)定性等問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于鈦合金制備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種WSTi6421鈦合金的制備方法。
背景技術(shù)
WSTi6421合金名義成分為T(mén)i-6Al-4Mo-2Zr-1Nb,WSTi6421合金具有較高的室溫強(qiáng)度、室溫塑性,優(yōu)良的沖擊韌性、斷裂韌性以及疲勞性能,是一種可用于航空航天結(jié)構(gòu)件、發(fā)動(dòng)機(jī)的綜合性能優(yōu)良的鈦合金材料。為了保證WSTi6421鑄錠成分的高均勻性,從使用的中間合金到鑄錠的熔煉工藝都采用了專用的制備工藝。例如采用電磁懸浮熔煉制備高均勻的AlMoNb中間合金;控制海綿鈦、海綿鋯以及中間合金的粒度,使得混料過(guò)程中各添加料均勻混合和分布;使用專有六邊形模具制備電極塊,減小第一次熔煉過(guò)程中坩堝與電極塊的間隙差異,提供熔煉過(guò)程中熔池橫向成分均勻性。采用三次真空自耗熔煉方法提高鑄錠的成分均勻性;此外,在第二次和第三次熔煉時(shí),采用專有技術(shù),進(jìn)一步的提高鑄錠的成分均勻性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提出一種WSTi6421鈦合金的制備方法,解決了WSTi6421合金中易偏析元素鉬和高熔點(diǎn)元素鉬、鈮的成分均勻性的控制難題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
一種WSTi6421鈦合金的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1、將海綿鈦、海綿鋯、TiSi中間合金和AlMoNb三元合金顆粒進(jìn)行混料,并將其壓制成多根正六邊形電極棒;
S2、采用非鎢極氬氣保護(hù)等離子焊接方法將S2壓制完成的多根電極棒焊接成一根自耗電極;
S3、將S2得到的自耗電極置于真空自耗電弧爐中進(jìn)行三次熔煉,得到WSTi6421合金鑄錠。
進(jìn)一步地,所述S1具體為:將海綿鈦、海綿鋯、TiSi中間合金和AlMoNb三元合金顆粒放置于含內(nèi)置擋板混料器中,采用雙軸換向轉(zhuǎn)動(dòng)方式混料,混料時(shí)間為50s-70s,將混合均勻原材料放置于專有六邊形模具下部,使用油壓機(jī)采用雙向二次壓制的方式將其壓制成3根等邊六邊形電極棒,壓制強(qiáng)度為25~30MPa。
進(jìn)一步地,所述S2中電極棒共有3根,電極棒接觸面焊接路徑采用環(huán)形焊接。
進(jìn)一步地,所述S3中三次熔煉具體包括:
第一次熔煉:采用電流控制,坩堝規(guī)格Φ160mm~Φ640mm,出爐后打磨鑄錠表面;
第二次熔煉:采用恒熔速控制,坩堝規(guī)格Φ220mm~Φ850mm;
第三次熔煉:采用熔深、熔池流動(dòng)強(qiáng)度控制,坩堝規(guī)格Φ280mm~Φ920mm。
進(jìn)一步地,所述第二次熔煉的熔煉過(guò)程分為兩個(gè)階段:熔煉過(guò)程前90%,熔速為5kg/min~22kg/min;熔煉過(guò)程后10%,熔速以近反比例函數(shù)曲線的形式逐級(jí)降低。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西部超導(dǎo)材料科技股份有限公司,未經(jīng)西部超導(dǎo)材料科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210983904.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





