[發(fā)明專利]顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210978823.6 | 申請日: | 2022-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN115172435A | 公開(公告)日: | 2022-10-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吉如意 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 馬敬;孟維娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板(100),其特征在于,包括:
襯底基板(1)及位于所述襯底基板(1)上的矩陣分布的多個像素單元(2);
封裝層(3),所述封裝層(3)設于所述多個像素單元(2)遠離所述襯底基板(1)的一側(cè)且覆蓋所述多個像素單元(2);
第一觸控層(4),所述第一觸控層(4)設于所述封裝層(3)遠離所述襯底基板(1)的一側(cè);
黑矩陣層(5),所述黑矩陣層(5)設于所述封裝層(3)遠離所述襯底基板(1)的一側(cè),所述黑矩陣層(5)包括間隔設置的多個第一開口(51);
彩膜層(6),所述彩膜層(6)設于所述封裝層(3)遠離所述襯底基板(1)的一側(cè),所述彩膜層(6)包括與所述多個像素單元(2)對應設置的多個色阻塊(61),所述多個色阻塊(61)填充所述多個第一開口(51);
第二觸控層(7),所述第二觸控層包(7)括觸控部分(71)及多個反射部分(72),所述觸控部分(71)設于所述黑矩陣層(5)遠離所述封裝層(3)的一側(cè),所述黑矩陣層(5)上設有第一過孔(52),所述觸控部分(71)通過所述第一過孔(52)與所述第一觸控層(4)連接,反射部分(72)設于第一開口(51)的側(cè)壁與色阻塊(61)之間,所述反射部分(72)配置為對入射至所述反射部分(72)的光線進行反射,以使反射后的部分光線入射至所述多個色阻塊(61)內(nèi)。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板(100),其特征在于,所述顯示面板(100)還包括設于所述封裝層(3)及所述第一觸控層(4)之間的第一OC層(8)。
3.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板(100),其特征在于,所述顯示面板(100)還包括蓋板(9)及第二OC層(10),所述第二OC層(10)設置于所述第二觸控層(7)遠離所述封裝層(3)的一側(cè),所述蓋板(9)設置于所述第二OC層(10)遠離所述第二觸控層(7)的一側(cè)。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示面板(100),其特征在于,所述第一OC層(8)的折射率為1.6至1.9,所述第二OC層(10)的折射率為1.6至1.9。
5.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板(100),其特征在于,所述第一觸控層(4)為橋接層,所述第二觸控層(7)為觸控圖案層;或所述第一觸控層(4)為觸控圖案層,所述第二觸控層(7)為橋接層。
6.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板(100),其特征在于,每一反射部分(72)包括傾斜設置的多個反射面(721),且所述多個反射面(721)沿朝向所述襯底基板(1)的方向上逐漸靠近。
7.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板(100),其特征在于,像素單元(2)包括晶體管(21)和與所述晶體管(21)電連接的發(fā)光單元(22),所述多個像素單元(2)包括的多個發(fā)光單元(22)與所述多個色阻塊(61)對應設置;
所述發(fā)光單元(22)包括沿遠離所述襯底基板的一側(cè)依次設置的陽極層(221)、有機發(fā)光層(222)和陰極層(223);
所述晶體管(21)包括位于所述襯底基板(1)一側(cè)的有源層(211)、第一柵極絕緣層(212)、柵極金屬層(213)及源漏金屬層(214),所述柵極金屬層(213)包括柵極(2131),所述源漏金屬層(214)包括源極(2141)和漏極(2142),所述陽極層(221)通過過孔與所述漏極(2142)電連接,所述源極(2141)和所述漏極(2142)通過過孔與所述有源層(211)連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





