[發明專利]壓電層疊體及壓電元件

在審

• 申請號: 202210977798.X
• 申請日: 2022-08-15
• 公開（公告）號: CN115734698A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 望月文彥;佐佐木勉
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H10N30/87
• 分類號: H10N30/87;H10N30/50;H10N30/853
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 張志楠;龐東成

1.一種壓電層疊體，其在基板上依次具備：下部電極層和包含鈣鈦礦型氧化物的壓電膜，

所述下部電極層包含Ta元素，

在所述下部電極層的厚度方向上，在最靠近所述壓電膜側包含Ta氮化物，

所述下部電極層還包含所述Ta元素的含量沿所述厚度方向變化的區域，且所述厚度方向上的所述Ta元素的含量的變化是連續的。

2.根據權利要求1所述的壓電層疊體，其中，

所述Ta元素的含量的變化從所述壓電膜側朝向所述基板側呈增加趨勢。

3.根據權利要求1或2所述的壓電層疊體，其中，

在所述區域中，所述Ta元素的含量在所述厚度方向的最靠近所述基板側顯示最大值，且從所述壓電膜側起單調增加。

4.根據權利要求1或2所述的壓電層疊體，其中，

所述下部電極層從最靠近所述壓電膜側起遍及20nm～60nm的范圍包含所述Ta氮化物。

5.根據權利要求1或2所述的壓電層疊體，其中，

在所述下部電極層與所述壓電膜之間具備包含金屬氧化物的取向控制層。

6.根據權利要求5所述的壓電層疊體，其中，

所述金屬氧化物包含Sr及Ba中的至少一種。

7.根據權利要求1或2所述的壓電層疊體，其中，

所述鈣鈦礦型氧化物包含Pb、Zr、Ti及O。

8.根據權利要求7所述的壓電層疊體，其中，

所述鈣鈦礦型氧化物包含Nb。

9.根據權利要求8所述的壓電層疊體，其中，

所述鈣鈦礦型氧化物是由下述通式(1)表示的化合物，

Pb{(Zr_xTi_1-x)_y-1Nb_y}O₃(1)，

0＜x＜1、0.1≤y≤0.4。

10.一種壓電元件，其具備：

權利要求1至9中任一項所述的壓電層疊體；及

配置在所述壓電層疊體的所述壓電膜上的上部電極層。