[發(fā)明專利]對(duì)柵極全環(huán)繞半導(dǎo)體器件的選擇性數(shù)量縮減在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210968674.5 | 申請(qǐng)日: | 2022-08-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115810633A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·哈桑;T·加尼;P·A·帕特爾;M·K·哈蘭;L·P·古勒爾;C·L·翁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/092 | 分類號(hào): | H01L27/092;H01L21/8238;B82Y10/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 鄔少俊 |
| 地址: | 美國(guó)加*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柵極 環(huán)繞 半導(dǎo)體器件 選擇性 數(shù)量 縮減 | ||
本文提供的技術(shù)用以形成與同一襯底上的其他半導(dǎo)體器件相比具有不同數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的半導(dǎo)體器件。在一個(gè)示例中,給定存儲(chǔ)器單元(例如,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)單元)的兩個(gè)不同半導(dǎo)體器件包括p溝道器件和n溝道器件。更具體地,p溝道器件可以是具有第一數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的GAA晶體管,而n溝道器件可以是具有大于第一數(shù)量的第二數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的GAA晶體管。在一些情況下,(多個(gè))n溝道器件與(多個(gè))p溝道器件相比具有一個(gè)額外的半導(dǎo)體納米帶。取決于在制作工藝期間何時(shí)去除納米帶,將出現(xiàn)能夠在最終器件中檢測(cè)到的不同結(jié)構(gòu)結(jié)果。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及集成電路,并且更具體地涉及柵極全環(huán)繞(GAA)半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)
隨著集成電路在尺寸上不斷地縮小,出現(xiàn)了很多挑戰(zhàn)。例如,變得越來(lái)越難以縮小存儲(chǔ)器和邏輯單元的尺寸。給定襯底上的如此多的半導(dǎo)體器件的能耗也變成了日益突出的問(wèn)題。一些處理器核心采用電壓縮放技術(shù)降低能耗,然而這使得各種半導(dǎo)體器件更易于遭受可能導(dǎo)致器件不正確地工作的工藝和/或摻雜劑變化的影響。相應(yīng)地,關(guān)于對(duì)能夠在較低電壓電平上工作的半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)還存在著很多不可忽視的挑戰(zhàn)。
附圖說(shuō)明
圖1A和圖1B是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的所具有的半導(dǎo)體器件具有不同數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的示例性集成電路的截面圖。
圖2A-2F是共同示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的用于形成具有不同數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的半導(dǎo)體器件的示例性工藝的截面圖。
圖3A和圖3B是與圖2A-2F的截面圖正交的額外截面圖,并且示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的具有不同數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的半導(dǎo)體器件。
圖4A-4D是共同示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的用于形成具有不同數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的半導(dǎo)體器件的另一示例性工藝的截面圖。
圖5A-5D是共同示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的用于形成具有不同數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的半導(dǎo)體器件的另一示例性工藝的截面圖。
圖6示出了根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的包含一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體管芯的芯片封裝的截面圖。
圖7是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的用于具有不同數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的半導(dǎo)體器件的第一制作工藝的流程圖。
圖8是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的用于具有不同數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的半導(dǎo)體器件的第二制作工藝的流程圖。
圖9是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的用于具有不同數(shù)量的半導(dǎo)體納米帶的半導(dǎo)體器件的第三制作工藝的流程圖。
圖10示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的包括一個(gè)或多個(gè)本文以各種方式描述的集成電路的計(jì)算系統(tǒng)。
盡管下文的具體實(shí)施方式部分是參考例示性實(shí)施例而給出的,但是這些實(shí)施例的很多替代方案、修改和變化根據(jù)本公開(kāi)將是顯而易見(jiàn)的。還應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到,附圖未必是按比例繪制的,也并非意在使本公開(kāi)局限于所示的具體配置。例如,盡管一些附圖大致指示了理想的直線、直角和平滑表面,但是鑒于所使用的處理設(shè)備和技術(shù)的現(xiàn)實(shí)世界局限性,集成電路結(jié)構(gòu)的實(shí)際實(shí)施可能具有不太理想的直線和直角,并且一些特征可能具有表面形貌或以其他方式呈現(xiàn)非平滑性。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





