[發明專利]一種非對稱半橋反激變換器及其設計方法在審
| 申請號: | 202210967240.3 | 申請日: | 2022-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN115347794A | 公開(公告)日: | 2022-11-15 |
| 發明(設計)人: | 姚凱;荊子琦;湯其媛;張士順 | 申請(專利權)人: | 南京理工大學 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335;H02M1/00;H02M1/44 |
| 代理公司: | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 張菊萍 |
| 地址: | 210094 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 對稱 半橋反 激變 及其 設計 方法 | ||
1.一種非對稱半橋反激變換器,其特征在于:包括主功率電路,所述主功率電路包括VB為交流輸入電壓經過整流橋和輸入濾波電容的母線電壓,S1、S2為原邊開關管,采用GaN器件,由于GaN器件沒有體二極管但存在第三象限,因此用原理圖中與S1、S2并聯的二極管代表其第三象限以便描述續流過程。變壓器模型可等效為漏感為Lr,勵磁電感為Lm與一個匝比為n:1的理想變壓器,Cr為諧振電容,Q1為副邊同步整流管,Co為輸出電容,Ro為負載。
2.一種非對稱半橋反激變換器的設計方法,用于上述所述的一種非對稱半橋反激變換器,其特征在于,包括以下步驟:
步驟A:根據變換器工作模態分析每個模態下漏感電流iLr與諧振電容兩端電壓vCr方程;
步驟B:根據勵磁電感伏秒平衡得到上管S1占空比為
步驟C:根據輸入功率積分可得到輸出電流其中ILmmax與ILmmin分別為勵磁電感的正負峰值電流。其具體計算為其中toff為上管關斷時間;
步驟D:副邊電流可以近似看作半個正弦波,一個周期內副邊電流的平均值等于輸出電流Io可得副邊峰值電流
步驟E:輸入電容Cin的大小取決于交流電壓的最小有效值Vinrms_min和最小的電容電壓VB_min,輸入濾波電容值為
步驟F:根據上管設定最大占空比可得最大匝比根據副邊同步整流管Q1耐壓可得最小匝比由此求得變壓器匝比n;
步驟G:進行變壓器設計,根據磁芯有效面積面積Ae及磁通密度變量ΔB可求得變壓器副邊匝數由此求得變壓器原邊匝數Np以及磁芯氣隙大小δ;
步驟H:由于副邊電流近似半個正弦波,其波形與Io的在波形上的交點為tA1和tA2,根據輸出電壓紋波幅值ΔU的要求得到輸出電容
3.根據權利要求2所述的一種非對稱半橋反激變換器的設計方法,其特征在于:諧振電容上電壓波動谷值即圖1中t1時刻諧振電容電壓值為
式中
諧振電容上電壓波動峰值即圖1中t5時刻諧振電容電壓值為
式中
4.根據權利要求2所述的一種非對稱半橋反激變換器的設計方法,其特征在于:上管關斷即下管開通時間toff(忽略死區時間)需盡量與諧振時間相匹配,以減小諧振腔內環流同時使得副邊同步整流管零電流關斷,諧振時間為
式中
5.根據權利要求2所述的一種非對稱半橋反激變換器的設計方法,其特征在于:采用平面變壓器設計,采用PPPSSS繞法利用原邊線圈單獨的一匝將其設計成一層屏蔽層,與諧振電容Cr正極同電位,使原副邊之間的耦合電容都耦合到一個波動很小的電位上,能有效減小共模噪聲,同時不需要額外串聯諧振電感以減小損耗。
6.根據權利要求2所述的一種非對稱半橋反激變換器的設計方法,其特征在于:原邊開關管上管選用GaN System公司的GS-065-011-1-L,下管選用GaN Systems公司的GS66508B,副邊同步整流管選擇英飛凌公司的BSC093N15NS5,磁芯選擇TDK的PC95EL25X8.6-Z;控制芯片采用英飛凌公司的XDPS2201芯片。
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