[發明專利]特殊單元總數據庫及其建立方法、圖形修正方法在審
| 申請號: | 202210961900.7 | 申請日: | 2022-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN115293094A | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發明(設計)人: | 鄧婉君;金曉亮;馮佳計 | 申請(專利權)人: | 華虹半導體(無錫)有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/392 | 分類號: | G06F30/392 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐嘉 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 特殊 單元 數據庫 及其 建立 方法 圖形 修正 | ||
一種特殊單元總數據庫及其建立方法、圖形修正方法,其中圖形修正方法包括:提供待修正版圖,所述待修正版圖包括待修正區域和待修正特殊單元結構區域;獲取待修正特殊單元結構區域中的待修正最小重復單元圖形;提供特殊單元總數據庫;在所述特殊單元總數據庫中獲取與所述待修正最小重復單元圖形對應的單元修正圖形的信息;對所述待修正區域進行光學臨近修正,獲取第二修正圖形的信息;根據所述第二修正圖形的信息和單元修正圖形的信息獲取修正版圖。所述圖形修正方法的修正效率得到提升。
技術領域
本發明涉及半導體制造領域,尤其涉及一種特殊單元總數據庫及其建立方法、圖形修正方法。
背景技術
很多設計版圖中存在特殊單元結構區域,如存儲單元(SRAM)、像素單元(Pixel)等,且對于不同平臺公司設計的一些特殊單元結構是有限的。隨著芯片規模的增加,在特殊單元中,不同位置的重復結構也增多。那么在進行光學臨近修正(OPC)的過程中,關于特殊單元區域的計算量較大,這使得在不同產品下,同一個特殊單元結構的光學臨近修正結果重復計算,造成了光學臨近修正資源的部分浪費。而且特殊單元區域的光學臨近修正結果常會出現一些問題,這使得光學臨近修正人員要花費時間精力去排除問題。
為了更好的進行光學臨近修正工作,對于特殊單元區域的識別,分類是非常有必要的。
發明內容
本發明解決的技術問題是提供一種特殊單元總數據庫及其建立方法、圖形修正方法,以提升光學臨近修正工作效率。
為解決上述技術問題,本發明技術方案提供一種圖形修正的特殊單元總數據庫的建立方法,包括:提供設計版圖,所述設計版圖包括若干特殊單元結構區域,所述特殊單元結構區域包括若干圖形;獲取特殊單元結構區域中的最小重復單元圖形;根據所述最小重復單元圖形的信息建立特殊單元結構數據庫;獲取設計版圖修正后的第一修正版圖,所述第一修正版圖中具有與最小重復單元圖形對應的單元修正圖形;根據若干單元修正圖形的信息建立特殊單元修正結果數據庫;根據所述特殊單元結構數據庫和特殊單元修正結果數據庫建立特殊單元總數據庫,且在所述特殊單元總數據庫中,各最小重復單元圖形的信息和各單元修正圖形的信息一一對應。
可選的,獲取特殊單元結構區域中的最小重復單元圖形的方法包括:根據預設條件選取特征圖形;根據所述特征圖形獲取所述特征圖形的特征向量;根據所述特征向量在設計版圖中獲取符合所述特征向量的圖形;以所述特征圖形邊長中的任一端點為第一頂點,沿相互垂直的第一方向和第二方向擴展預設的長度,獲取最小重復單元區域,所述最小重復單元區域的形狀為矩形,所述最小重復單元區域內的圖形為所述最小重復單元圖形。
可選的,所述預設條件包括:特征圖形的邊長數量大于或等于6。
可選的,所述特征向量的參量包括:圖形面積、頂點個數、有效邊長和邊的夾角中的一者或多種的組合。
可選的,所述最小重復單元圖形的信息包括原矩陣信息、旋轉矩陣信息和鏡像矩陣信息。
可選的,獲取特殊單元結構區域中的最小重復單元圖形的信息的方法包括:將所述最小重復單元圖形轉化成二維的原矩陣,獲取所述最小重復單元的原矩陣信息;將所述成二維的原矩陣進行旋轉、鏡像操作,獲取所述最小重復單元的旋轉矩陣信息和鏡像矩陣信息。
可選的,將所述最小重復單元圖形轉化成二維的原矩陣的方法包括:獲取所述最小重復單元圖形的最小覆蓋區域,所述最小覆蓋區域的形狀為矩形;以所述最小重復單元圖形的每個頂點為定點,沿第一方向和第二方向延伸到最小重復單元圖形的邊界以構建網格單元格;根據網格單元格的填充情況,每個空的網格單元格被替換為0,每個完全填充的網格單元格被替換為1,獲取由0和1表示的初始原矩陣,所述初始原矩陣的每個網格單元格具有行高和列寬;根據所述初始原矩陣每個單元格的行高和列寬獲取單元值,獲取所述二維的原矩陣。
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