[發明專利]用于過擦除修復的方法和存儲裝置

在審

• 申請號: 202210961804.2
• 申請日: 2022-08-11
• 公開（公告）號: CN115295056A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 陳緯榮
• 申請（專利權）人: 東芯半導體股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/08
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 周全

本申請提供一種用于對非易失性存儲器進行過擦除修復的方法、可執行該方法的存儲裝置、以及存儲有執行該方法的指令的計算機可讀介質，所述非易失性存儲器包括多個存儲區塊，所述方法包括：a.對多個存儲區塊中的第一存儲區塊執行局部過擦除修復，局部過擦除修復以逐字線方式執行；b.對多個存儲區塊中的存儲單元進行全字線過擦除校驗；以及c.響應于判斷全部字線上的存儲單元中存在過擦除存儲單元，對多個存儲區塊中未執行過局部過擦除修復的存儲區塊中的一個存儲區塊執行局部過擦除修復。

技術領域

本申請涉及半導體存儲技術領域，尤其涉及一種用于對非易失性存儲器進行過擦除修復的編程方法以及存儲裝置。

背景技術

隨著步入信息紀元，對信息存儲的要求越來越高，從而對計算機等的存儲設備的要求同樣越來越高。而非易失性存儲器作為一種能夠在使用時可改寫的存儲介質，被廣泛使用在各種存儲設備內。諸如閃存、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM：ErasableProgrammable Read Only Memory)、電子抹除式可復寫只讀存儲器(EEPROM：ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory)之類的非易失性存儲器可通過擦除存儲單元之后再將存儲單元進行編程的方式，從而刪除之前存儲的信息再記錄下新的信息。

然而，在進行擦除過程時，可能出現過擦除現象，導致編程受到影響，直接影響存儲器的正常工作，甚至發生功能錯誤。因此，如何準確且迅速地檢測過擦除現象，由此防止因過擦除狀態導致的不良影響、確保存儲器正常工作，已成為本領域技術人員亟待解決的問題之一。

常規的過擦除修復過程中，由于無法確定在同一位線(BL：Bit Line)上發生過擦除問題的存儲單元(cell)的數目和位置，所以導致漏電大小是無法很好地控制的。這帶來的問題是，如果漏電太大，則極有可能超出BL的電荷泵的帶負載能力。一旦這種情況發生，過擦除修復效率將被影響，極端狀況下甚至起不到過擦除修復的效果，發生功能失效。

此外，常規的過擦除校驗和修復都需要一個比較低的電壓源去偏置所有的字線，需較大的負載，而這通常通過穩壓器實現，從而會消耗相當可觀的芯片面積。

發明內容

發明所要解決的技術問題

本申請鑒于上述那樣的現有問題而完成，其目的在于，提供一種用于對非易失性存儲器進行過擦除修復的方法以及存儲裝置，其可準確且高效地修復過擦除的存儲單元(ZQ：以下統改)。

解決技術問題的技術方案

在解決上述問題的本申請的一個實施例中，提供了一種用于對非易失性存儲器進行過擦除修復的方法，所述非易失性存儲器包括多個存儲區塊，所述方法包括：

a.對所述多個存儲區塊中的第一存儲區塊執行局部過擦除修復，所述局部過擦除修復以逐字線(WL：Word Line)方式執行并且包括：將當前字線偏置到第一電壓以對當前字線上的存儲單元執行過擦除校驗，所述第一電壓高于所述第一存儲區塊中其他字線的電壓；以及響應于判斷當前字線上存在過擦除存儲單元，對當前字線上的過擦除存儲單元執行修復操作；

b.對所述多個存儲區塊中的存儲單元進行全字線過擦除校驗，包括：同時將所述多個存儲區塊中的全部字線偏置到第二電壓以對所述全部字線上的存儲單元進行過擦除校驗；以及

c.響應于判斷所述全部字線上的存儲單元中存在過擦除存儲單元，對所述多個存儲區塊中未執行過所述局部過擦除修復的存儲區塊中的一個存儲區塊執行所述局部過擦除修復。

在本申請的一實施例中，重復步驟b和步驟c，直至所述多個存儲區塊中不存在過擦除存儲單元。

在本申請的一實施例中，所述局部過擦除修復還包括：確定當前字線上存在的過擦除存儲單元的數量和位置。