[發明專利]一種柔性銻化鎂薄膜及其制備方法和應用、柔性熱電器件

在審

• 申請號: 202210959754.4
• 申請日: 2022-08-11
• 公開（公告）號: CN115386835A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 鄒琪;丁發柱;古宏偉;商紅靜;黃大興;謝波瑋;張琳;董浩;王鍇
• 申請（專利權）人: 中國科學院電工研究所
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35;H01L35/18;H01L35/34
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 王苗苗

1.一種柔性銻化鎂薄膜的制備方法，包括以下步驟：

以Mg₃Sb₂合金靶作為磁控濺射靶，在柔性襯底表面進行磁控濺射，得到柔性銻化鎂薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述Mg₃Sb₂合金靶的制備方法包括：

將金屬Mg和金屬Sb按照3.05～3.2：2的摩爾比混合，進行球磨，得到金屬混合料；

將所述金屬混合料進行熱壓，得到Mg₃Sb₂合金靶。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述熱壓的壓力為40～60MPa，所述熱壓的溫度為700～900℃，保溫保壓時間為10～30min。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述柔性襯底為柔性聚酰亞胺襯底。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射時柔性襯底的溫度為400～600℃。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述Mg₃Sb₂合金靶位于所述柔性襯底的斜下方；所述Mg₃Sb₂合金靶的中心與柔性襯底的中心的直線距離為160～200mm。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射的真空度為0.3～1Pa，磁控濺射的功率為20～30W，濺射時間為60～90min。

8.權利要求1～7任一項所述制備方法制備得到的柔性銻化鎂薄膜。

9.權利要求8所述柔性銻化鎂薄膜在柔性熱電器件中的應用。

10.一種柔性熱電器件，包括交錯排列的P型熱電臂和N型熱電臂；所述P型熱電臂為權利要求8所述的柔性銻化鎂薄膜；所述N型熱電臂為Bi₂Te₃薄膜。