[發明專利]一種帶使能檢測和掉電保護的高壓差電平轉移電路

有效

• 申請號: 202210947749.1
• 申請日: 2022-08-09
• 公開（公告）號: CN115037292B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 鄒永成
• 申請（專利權）人: 成都市安比科技有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03K19/007;H03K19/003
• 代理公司: 四川省成都市天策商標專利事務所(有限合伙) 51213
• 代理人: 張秀敏

1.一種帶使能檢測和掉電保護的高壓差電平轉移電路，其特征在于，包括MOS管P0_hv、反相器INV1_lv、MOS管M1以及使能檢測和掉電檢測模塊，所述使能檢測和掉電檢測模塊用于在檢測到掉電或者接收到使能信號時，輸出控制信號至所述MOS管P0_hv的柵極，MOS管P0_hv的柵極連接MOS管N0_hv的柵極，MOS管P0_hv的源極連接高電壓域電壓AVD，MOS管P0_hv的漏極連接MOS管P1_hv的源極和MOS管P2_hv的源極，所述MOS管P1_hv的柵極連接所述MOS管P2_hv的漏極、MOS管N6_hv的漏極、MOS管N0_hv的漏極和緩沖器BUF1的輸入端，MOS管P2_hv的柵極連接MOS管P1_hv的漏極和MOS管N5_hv的漏極；所述反相器INV1_lv的第一端連接輸入信號，反相器INV1_lv的第二端連接反相器INV2_lv的第一端以及MOS管N2_mv的柵極，所述反相器INV2_lv的第二端連接MOS管N1_mv的柵極，所述MOS管N1_mv、MOS管N2_mv和MOS管N0_hv共源極連接并接地，MOS管N1_mv的漏極與所述MOS管N5_hv的源極連接，MOS管N2_mv的漏極與所述MOS管N6_hv的源極連接；所述MOS管M1的源極連接所述高電壓域電壓AVD，MOS管M1漏極連接所述MOS管N5_hv和MOS管N6_hv的柵極，MOS管M1的柵極連接MOS管M2的柵極和漏極，MOS管M2的源極接地；緩沖器BUF1輸出電平轉移后的電壓信號。

2.根據權利要求1所述的一種帶使能檢測和掉電保護的高壓差電平轉移電路，其特征在于，所述使能檢測和掉電檢測模塊包括MOS管P1’_hv、MOS管M1’和反相器Inv1’_lv，所述反相器Inv1’_lv的第一端連接使能信號，反相器Inv1’_lv的第二端連接反相器Inv2’_lv的第一端，反相器Inv2’_lv的第二端連接所述MOS管P1’_hv的柵極、MOS管N1’_mv的柵極和MOS管N0’_hv的漏極，所述MOS管N1’_mv和MOS管N0’_hv共源極連接并接地；MOS管N1’_mv的漏極連接MOS管N2_hv的源極，MOS管P1’_hv的漏極連接所述MOS管N2_hv的漏極、MOS管N0’_hv的柵極和緩沖器BUF2的輸入端，所述緩沖器BUF2的輸出端連接所述MOS管P0_hv的柵極；所述MOS管P1’_hv的源極連接高電壓域電壓AVD和所述MOS管M1’的源極，MOS管M1’的漏極連接所述MOS管N2_hv的柵極，MOS管M1’的柵極連接MOS管M2’的漏極和柵極，MOS管M2’的源極接地。

3.根據權利要求2所述的一種帶使能檢測和掉電保護的高壓差電平轉移電路，其特征在于，所述緩沖器BUF1和緩沖器BUF2均由串聯的兩個反相器組成。