[發明專利]用于存儲器區域大小調整的技術

在審

• 申請號: 202210936465.2
• 申請日: 2022-08-05
• 公開（公告）號: CN115705156A
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發明（設計）人: 畢焱華
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G11C16/12;G11C16/26;G11C16/34
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

本申請涉及用于存儲器區域大小調整的技術的方法、系統和裝置。存儲器系統可動態地更新配置成存儲在寫突發或寫入增壓器模式期間寫入的數據的陳舊區域的大小。所述陳舊區域可以是第一存儲器單元塊的部分，且可在如清空操作等的傳送操作期間保留數據。所述陳舊區域的所述大小可響應于所述存儲器系統接收到如取消映射命令等的命令而更新。所述陳舊區域的所述大小可基于可用區域大小、所述命令中所指示的數據量、所述命令中所指示的已傳送到第二存儲器單元塊的數據量或其組合來確定。

交叉參考

本專利申請主張2021年8月6日由畢(Bi)申請的標題是“用于存儲器區域大小調整的技術(TECHNIQUES FOR MEMORY ZONE SIZE ADJUSTMENT)”的美國臨時專利申請第63/230,498號以及2022年4月21日由畢申請的標題是“用于存儲器區域大小調整的技術”的美國專利申請第17/726,101號的優先權，以上申請中的每一者轉讓給本受讓人，且以上申請中的每一者在此以全文引用的方式明確并入本文中。

技術領域

技術領域涉及用于存儲器區域大小調整的技術。

背景技術

存儲器裝置廣泛用于將信息存儲在如計算機、用戶裝置、無線通信裝置、相機、數字顯示器和其類似物的各種電子裝置中。通過將存儲器裝置內的存儲器單元編程到各種狀態來存儲信息。舉例來說，二進制存儲器單元可編程到兩個所支持狀態中的一個，通常對應于邏輯1或邏輯0。在一些實例中，單個存儲器單元可支持多于兩個可能的狀態，所述狀態中的任一個可由存儲器單元存儲。為了存取由存儲器裝置存儲的信息，組件可讀取或感測存儲器裝置內的一或多個存儲器單元的狀態。為了存儲信息，組件可將存儲器裝置內的一或多個存儲器單元寫入或編程到對應狀態。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、靜態RAM(SRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)、3維交叉點存儲器(3D交叉點)、或非(NOR)和與非(NAND)存儲器裝置等。存儲器裝置可以是易失性或非易失性的。易失性存儲器單元(例如，DRAM單元)除非由外部電源周期性地刷新，否則可能隨時間推移而丟失其編程狀態。非易失性存儲器單元(例如，NAND存儲器單元)即使在不存在外部電源的情況下仍可在很長一段時間內維持其編程狀態。

發明內容

描述一種設備。所述設備可包括：存儲器裝置；和控制器，其與所述存儲器裝置耦合且配置成使得所述設備：在所述存儲器裝置處接收去除與存儲器單元塊相關聯的數據的命令；至少部分地基于接收到所述命令來設定至少部分地基于所述數據的大小的第一區域大小，所述第一區域大小包括所述存儲器單元塊中的第一組存儲器單元且對應于包括待至少部分地基于接收到的命令來去除的數據的第一空間量；確定所述第一區域大小是否滿足至少部分地基于對應于可用于將數據存儲在所述存儲器單元塊中的第二空間量的可用區域大小的閾值；至少部分地基于確定所述第一區域大小滿足所述閾值來設定第二區域大小，所述第二區域大小包括所述存儲器單元塊中的第二組存儲器單元，其中所述第二區域大小小于或等于所述可用區域大??；以及至少部分地基于設定所述第二區域大小來執行所述接收到的命令。