[發明專利]改善光罩輔助圖形extra printing的方法在審
| 申請號: | 202210936385.7 | 申請日: | 2022-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN115373213A | 公開(公告)日: | 2022-11-22 |
| 發明(設計)人: | 顧曉敏 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 劉昌榮 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 改善 輔助 圖形 extra printing 方法 | ||
1.一種改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于,至少包括:
步驟一、分別獲取間隔設置的第一、二目標圖形的線寬與周期,所述第一、二目標圖形中均由至少一個線圖形組成,所述線寬為每個所述線圖形的線寬,所述周期為所述第一和第二目標圖形中,每兩相鄰所述線寬圖形中點間的距離;
步驟二、在所述第一、二目標圖形中間位置插入至少一個輔助圖形;
步驟三、根據所述第一、二目標圖形以及所述輔助圖形得到曝光后圖形,改變所述輔助圖形線寬的值,至所述輔助圖形在所述曝光后圖形中不顯示,并記錄所述輔助圖形線寬的最終設置值;
步驟四、設計測試版圖,所述測試版圖中包括與所述第一、二目標圖形參數相同的第三、四目標圖形,所述第三、四目標圖形間插入的輔助圖形的線寬小于或等于所述最終設置值。
2.根據權利要求1所述的改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于:步驟一中所述第一目標圖形中的所述線圖形長度與所述第二目標圖形中的所述線圖形長度相等。
3.根據權利要求1所述的改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于:步驟一中所述第一目標圖形中的所述線圖形長度與所述第二目標圖形中的所述線圖形長度不相等。
4.根據權利要求1所述的改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于:步驟一中所述第一、二目標圖形中的多個所述線圖形分別等距分布。
5.根據權利要求1所述的改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于:步驟二中所述輔助圖形的形狀為線圖形。
6.根據權利要求1所述的改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于:步驟二中一個所述輔助圖形或多個所述輔助圖形分別距所述第一、二目標圖形的距離均相等。
7.根據權利要求1所述的改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于:步驟二中所述輔助圖形的兩端均長于其相鄰的兩個所述線圖形中,較短的所述線圖形。
8.根據權利要求1所述的改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于:步驟二中多個所述輔助圖形依次等距分布。
9.根據權利要求7所述的改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于:步驟二中所述輔助圖形的兩端均長于所述第一、二目標圖形中,較短的所述線圖形,且所述輔助圖形兩端長于所述線圖形的長度均相等。
10.根據權利要求1所述的改善光罩輔助圖形extra printing的方法,其特征在于:所述方法用于亞分辨率輔助圖形的設計。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





