[發明專利]用于電源管理芯片的電流補償電路

有效

• 申請號: 202210935209.1
• 申請日: 2022-08-05
• 公開（公告）號: CN115065246B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 羅寅;陳朝勇;譚在超;丁國華
• 申請（專利權）人: 蘇州鍇威特半導體股份有限公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158;H02M1/088
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 葛莉華

1.用于電源管理芯片的電流補償電路，其特征在于，包括MOS管N4、MOS管P6、電壓鉗位單元、電阻R1、第一電流鏡單元和第二電流鏡單元；所述電壓鉗位單元包括電壓輸入端、第一電壓輸出端和第二電壓輸出端；

所述MOS管N4的柵極和MOS管P6的柵極分別與所述第二電壓輸出端電連接；MOS管N4的漏極與第一電流鏡單元的主電流鏡單元電連接；MOS管N4的源極分別與MOS管P6的源極和第一電壓輸出端電連接，MOS管P6的漏極與第二電流鏡單元的主電流鏡單元電連接；

所述第一電壓輸出端與電阻R1一端電連接；所述電壓鉗位單元的電壓輸入端被配置于輸入基準電壓，所述電壓鉗位單元將所述第一電壓輸出端的電壓鉗位至基準電壓大小；在所述電阻R1另一端接地時，所述電壓鉗位單元將所述第二電壓輸出端的電壓鉗位至第二電壓，所述第二電壓大于所述基準電壓；在所述電阻R1另一端接入電源時，所述電壓鉗位單元將所述第二電壓輸出端的電壓鉗位至第三電壓，所述第三電壓小于所述基準電壓。

2.根據權利要求1所述的用于電源管理芯片的電流補償電路，其特征在于，所述電壓鉗位單元包括MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、電阻R2和電容C1；

MOS管P1的源極分別與MOS管P2的源極和MOS管P3的源極電連接；

MOS管P1的漏極分別與MOS管P1的柵極、MOS管P2的柵極和MOS管P3的柵極電連接；

MOS管P2的漏極分別與MOS管P4的源極和MOS管P5的源極電連接；MOS管P4的柵極為第一電壓輸出端，與所述電阻R1一端電連接；MOS管P4的漏極分別與MOS管N1的漏極、MOS管N1的柵極和MOS管N2的柵極電連接，MOS管N1的源極分別與MOS管N2的源極和MOS管N3的源極電連接；

MOS管P5的柵極為電壓輸入端，MOS管P5的漏極分別與MOS管N2的漏極、電阻R2一端和MOS管N3的柵極電連接，電阻R2另一端與電容C1一端電連接，電容C1另一端為第二電壓輸出端，分別與MOS管P3的漏極和MOS管N3的漏極電連接。

3.根據權利要求1所述的用于電源管理芯片的電流補償電路，其特征在于，還包括第三電流鏡單元、第四電流鏡單元和電容C2，所述第一電流鏡單元的從電流鏡單元與第三電流鏡單元的主電流鏡單元電連接；所述第三電流鏡單元的從電流鏡單元和所述第二電流鏡單元的從電流鏡單元分別與所述第四電流鏡單元的主電流鏡單元電連接，所述第四電流鏡單元的從電流鏡單元與所述電容C2一端電連接。

4.根據權利要求3所述的用于電源管理芯片的電流補償電路，其特征在于，所述第一電流鏡單元的主電流鏡單元包括MOS管P7，所述第一電流鏡單元的從電流鏡單元包括MOS管P9；MOS管P7的源極與MOS管P9的源極電連接，MOS管P7的漏極分別與MOS管N4的漏極、MOS管P7的柵極和MOS管P9的柵極電連接，MOS管P9的漏極與第三電流鏡單元的主電流鏡單元電連接；

所述第二電流鏡單元的主電流鏡單元包括MOS管N5，所述第二電流鏡單元的從電流鏡單元包括MOS管N7；MOS管N5的漏極分別與MOS管P6的漏極、MOS管N5的柵極和MOS管N7的柵極電連接，MOS管N5的源極與MOS管N7的源極電連接，MOS管N7的漏極與第四電流鏡單元的主電流鏡單元電連接。

5.根據權利要求4所述的用于電源管理芯片的電流補償電路，其特征在于，所述第一電流鏡單元的從電流鏡單元還包括MOS管P8，所述第二電流鏡單元的從電流鏡單元還包括MOS管N6；

MOS管P8的源極與MOS管P7的源極電連接，MOS管P8的柵極與MOS管P7的柵極電連接，MOS管P8的漏極分別與反相器X1的輸入端和MOS管N6的漏極電連接；MOS管N6的柵極與MOS管N5的柵極電連接，MOS管N6的源極與MOS管N5的源極電連接。