[發明專利]改善薄膜顆粒度裝置及其氣體輸送方法

在審

• 申請號: 202210935163.3
• 申請日: 2022-08-05
• 公開（公告）號: CN115011948A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 劉鎮頡;柳雪
• 申請（專利權）人: 拓荊科技(北京)有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 周宇

1.一種改善薄膜顆粒度裝置，其特征在于，包括：反應主體（100）、和氣體噴頭（200）；

所述反應主體（100）內設置有反應腔室（101），所述氣體噴頭（200）位于所述反應腔室（101）內，且所述氣體噴頭（200）與所述反應主體（100）的側壁連接；

所述氣體噴頭（200）上設置有第一進氣通道和第二進氣通道，所述第一進氣通道與所述反應腔室（101）正對布置，所述氣體噴頭（200）用于通過所述第一進氣通道向所述反應腔室（101）內輸送第一氣體，以使第一氣體在所述反應腔室（101）內反應；

所述第二進氣通道沿著所述反應腔室（101）的邊緣周向環形布置，所述氣體噴頭（200）用于通過所述第二進氣通道沿著所述反應腔室（101）的側壁輸送第二氣體，以使所述反應腔室（101）的側壁形成第二氣體保護層。

2.根據權利要求1所述的改善薄膜顆粒度裝置，其特征在于，還包括晶圓承載主體（300）；

所述晶圓承載主體（300）位于所述反應腔室（101）內，所述第一進氣通道與所述晶圓承載主體（300）正對布置，所述晶圓承載主體（300）用于與第一氣體反應。

3.根據權利要求1所述的改善薄膜顆粒度裝置，其特征在于，所述反應主體（100）對應所述氣體噴頭（200）的位置開設有第一氣體進氣口（103）和第二氣體進氣口（104），所述第一氣體進氣口（103）與所述第一進氣通道連通，所述第二氣體進氣口（104）與所述第二進氣通道連通。

4.根據權利要求3所述的改善薄膜顆粒度裝置，其特征在于，所述氣體噴頭（200）包括噴頭上板（201）和噴頭下板（202）；

所述噴頭上板（201）呈環形設置，所述噴頭上板（201）沿著所述噴頭下板（202）的周向布置，所述噴頭上板（201）分別與所述噴頭下板（202）和所述反應主體（100）連接；

所述噴頭上板（201）和所述噴頭下板（202）之間設置有第二氣體環形通道（203），所述第二氣體環形通道（203）沿著所述噴頭上板（201）的周向環形設置，所述噴頭上板（201）上設置有第二氣體接收口（211），所述噴頭上板（201）通過所述第二氣體接收口（211）與所述第二氣體進氣口（104）連通，所述噴頭下板（202）沿著所述第二氣體環形通道（203）貫穿設置有第二氣體出氣口（222），所述噴頭下板（202）通過所述第二氣體出氣口（222）沿著所述反應腔室（101）的內壁環形輸出第二氣體；

所述噴頭下板（202）對應所述反應主體（100）的位置設置有第一氣體出氣口（212），所述第一氣體出氣口（212）與所述第一氣體進氣口（103）連通。

5.根據權利要求4所述的改善薄膜顆粒度裝置，其特征在于，所述第一氣體出氣口（212）設置有多個，多個所述第一氣體出氣口（212）沿著所述噴頭下板（202）的表面均勻布置；

所述第一氣體進氣口（103）位于所述噴頭下板（202）的中心位置，以使經所述第一氣體進氣口（103）輸送的第一氣體均勻輸送至每個所述第一氣體出氣口（212）處。

6.根據權利要求4所述的改善薄膜顆粒度裝置，其特征在于，所述反應腔室（101）與所述噴頭下板（202）的第二氣體出氣口（222）對應位置設置有傾斜平面，所述第二氣體出氣口（222）朝向所述傾斜平面，所述第二氣體出氣口（222）輸出的第二氣體通過所述傾斜平面緩沖后沿著所述反應腔室（101）的內壁表面輸送。

7.根據權利要求1-6任一項所述的改善薄膜顆粒度裝置，其特征在于，所述反應主體（100）遠離所述氣體噴頭（200）的一端開設有排氣口（102），所述排氣口（102）與所述反應腔室（101）連通。