[發(fā)明專利]一種高性能壓電陶瓷的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210933958.0 | 申請日: | 2020-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN115340377B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李茂洪 | 申請(專利權)人: | 李茂洪 |
| 主分類號: | C04B35/493 | 分類號: | C04B35/493;C04B41/88 |
| 代理公司: | 中山市捷凱專利商標代理事務所(特殊普通合伙) 44327 | 代理人: | 黃俊佳 |
| 地址: | 528400 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 性能 壓電 陶瓷 制備 方法 | ||
1.一種高性能壓電陶瓷的制備方法,其特征在于:所述高性能壓電陶瓷的化學通式為:PbnSrm(Mg1/3Nb2/3)zZryTixO3+g%CeO2+h%PbO+b%CuO+d%Nb2O5;
n、m、x、y、z表示相應元素的摩爾分數,式中z+y+x=1,n+m=1;
g%、h%、b%、d%表示相應材料所占PbnSrm(Mg1/3Nb2/3)zZryTixO3的質量百分比;
其中:0.927≤n≤0.976,0.024≤m≤0.073,0.15≤z≤0.30,0.25≤y≤0.40,0.40≤x≤0.60,0.4≤g≤0.7,0.1≤h≤0.3,0.1≤b≤0.3,0.1≤d≤0.3;
所述高性能壓電陶瓷的制備方法包括以下步驟:
1)以Pb3O4、MgO、Nb2O5為原料,按Pb(Mg1/3Nb2/3)O3的配比混勻,在1000℃-1200℃的溫度下保溫2-4小時合成Pb(Mg1/3Nb2/3)O3;
2)以Pb(Mg1/3Nb2/3)O3、SrCO3、TiO2、ZrO2、Nb2O5、CeO2、PbO、CuO為原料,按PbnSrm(Mg1/3Nb2/3)zZryTixO3+g%CeO2+h%PbO+b%CuO+d%Nb2O5的配比混勻,在850℃-900℃下保溫3-4小時后得到PbnSrm(Mg1/3Nb2/3)zZryTixO3+g%CeO2+h%PbO+b%CuO+d%Nb2O5混合粉料;
3)將PbnSrm(Mg1/3Nb2/3)zZryTixO3+g%CeO2+h%PbO+b%CuO+d%Nb2O5混合粉料細磨3-4h,再加入5-8wt%的粘結劑、造粒,壓成圓片、進行燒結,燒結溫度為850-950℃,預燒結的保溫時間為2-4h,得陶瓷樣品;
4)將陶瓷樣品進行極化,得到所述高性能壓電陶瓷。
2.根據權利要求1所述的高性能壓電陶瓷制備方法,其特征在于,步驟4)中,所述極化步驟包括:在所述陶瓷樣品上被銀,并經500-800℃燒銀5-10分鐘,以鍍上電極,將鍍上電極的所述陶瓷樣品放入硅油或者在空氣環(huán)境中,施加2-3kV/mm的直流電,以進行極化,極化時間為5-20分鐘。
3.根據權利要求1所述的一種高性能壓電陶瓷的制備方法,其特征在于:所述高性能壓電陶瓷的密度>7.85g/cm3。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于李茂洪,未經李茂洪許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210933958.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





