[發明專利]包括存儲器單元串的存儲器陣列集成電路系統和形成包括存儲器單元串的存儲器陣列方法

在審

• 申請號: 202210930837.0
• 申請日: 2022-08-04
• 公開（公告）號: CN115707239A
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發明（設計）人: A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯;P·納拉亞南;V·沙馬娜;J·D·謝潑德森
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H10B41/35
• 分類號: H10B41/35;H10B41/41;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 任超

1.一種用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法，其包括：

形成包括豎直交替的導電層和絕緣層的堆疊，所述堆疊包括橫向間隔開的存儲器塊區，所述堆疊的下部部分包括：

所述導電層中的多個下部導電層和所述絕緣層中的多個下部絕緣層，所述下部絕緣層包括絕緣材料；并且

所述下部導電層包括與下部第二犧牲性材料層豎直交替的下部第一犧牲性材料層；所述第一犧牲性材料、所述第二犧牲性材料和所述絕緣材料具有相對彼此不同的組合物；

所述堆疊的上部部分包括所述導電層中的多個上部導電層和所述絕緣層中的多個上部絕緣層，所述上部導電層包括所述第一犧牲性材料，所述上部絕緣層包括具有與所述第一犧牲性材料和所述第二犧牲性材料的所述組合物不同的組合物的隔絕材料；

將所述第一犧牲性材料和所述第二犧牲性材料中的一種犧牲性材料替換為傳導材料；以及

在所述一種犧牲性材料的所述替換之后，將所述第一犧牲性材料和所述第二犧牲性材料中的另一種犧牲性材料替換為導電材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述一種犧牲性材料的所述替換包括選擇性地相對于所述另一種犧牲性材料、所述隔絕材料和所述絕緣材料各向同性地蝕刻所述一種犧牲性材料；并且

所述另一種犧牲性材料的所述替換包括選擇性地相對于所述隔絕材料、所述絕緣材料，和由所述一種犧牲性材料的所述替換產生的所述傳導材料或所述導電材料中的一種材料各向同性地蝕刻所述另一種犧牲性材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種犧牲性材料是所述第一犧牲性材料，并且所述另一種犧牲性材料是所述第二犧牲性材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種犧牲性材料是所述第二犧牲性材料，并且所述另一種犧牲性材料是所述第一犧牲性材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述隔絕材料和所述絕緣材料具有相對彼此相同的組合物。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述傳導材料和所述導電材料具有相對彼此相同的組合物。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一犧牲性材料包括氮化硅，并且所述第二犧牲性材料包括多晶硅。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述隔絕材料和所述絕緣材料包括二氧化硅。