[發明專利]半導體器件的制作方法以及半導體器件在審
| 申請號: | 202210930463.2 | 申請日: | 2022-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN115188876A | 公開(公告)日: | 2022-10-14 |
| 發明(設計)人: | 王子翔;蒲計志;周佳;潘彤;陳慶 | 申請(專利權)人: | 利晶微電子技術(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市梁*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 制作方法 以及 | ||
1.一種半導體器件的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供基板;
在所述基板的裸露表面上形成多個間隔設置的第一PAD結構,任意相鄰的兩個所述第一PAD結構之間的距離大于第一閾值;
在所述第一PAD結構的裸露表面上一一對應的設置轉接基板;
在各所述轉接基板的裸露表面上設置多個間隔設置的第二PAD結構,一個所述轉接基板上任意相鄰的兩個所述第二PAD結構之間的距離大于第二閾值,所述第二閾值小于所述第一閾值;
在所述第二PAD結構的裸露表面上一一對應的設置多個發光設備,得到目標結構。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第一PAD結構的裸露表面上一一對應的設置轉接基板,包括:
通過焊接技術將所述轉接基板一一對應的設置在所述第一PAD結構的裸露表面上。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第一PAD結構的裸露表面上一一對應的設置轉接基板之后,所述方法還包括:
使用電性測試確定所述第一PAD結構與對應的所述轉接基板是否導通;
在不導通的情況下,再次通過焊接技術將所述轉接基板一一對應的設置在所述第一PAD結構的裸露表面上,使得所述第一PAD結構與所述轉接基板導通。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第二PAD結構的裸露表面上一一對應的設置多個發光設備,得到目標結構之后,所述方法還包括:
對多個所述發光設備進行區域性的點亮測試;
在所述發光設備在所述點亮測試中點亮失敗的情況下,重新連接所述發光設備與所述第二PAD結構,使得所述發光設備點亮成功。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第二PAD結構的裸露表面上一一對應的設置多個發光設備,得到目標結構之后,所述方法還包括:
在所述目標結構的裸露表面上形成封裝層,得到目標封裝結構。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一閾值的范圍為75μm-150μm,所述第二閾值的范圍為30μm-80μm。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的方法,其特征在于,所述轉接基板的材料為BT、聚酰亞胺以及ABF中之一。
8.一種半導體器件,其特征在于,所述半導體器件包括:
基板;
多個間隔設置的第一PAD結構,位于所述基板的表面上,任意相鄰的兩個所述第一PAD結構之間的距離大于第一閾值;
多個間隔設置的轉接基板,位于所述第一PAD結構的遠離所述基板的表面上,所述轉接基板與所述第一PAD結構一一對應;
多個間隔設置的第二PAD結構,位于各所述轉接基板的遠離所述基板的表面上,一個所述轉接基板上任意相鄰的兩個所述第二PAD結構之間的距離大于第二閾值,所述第二閾值小于所述第一閾值;
多個間隔設置的發光設備,位于所述第二PAD結構的遠離所述轉接基板的表面上,所述發光設備與所述第二PAD結構一一對應,所述基板、多個所述第一PAD結構、多個所述轉接基板、多個所述第二PAD結構以及多個所述發光設備組成目標結構。
9.根據權利要求8所述的半導體器件,其特征在于,各所述轉接基板上的多個所述發光設備至少發出一種顏色的光。
10.根據權利要求8所述的半導體器件,其特征在于,所述半導體器件還包括:
封裝層,位于所述目標結構的部分表面上,所述封裝層以及所述目標結構組成目標封裝結構。
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