[發明專利]性能分析方法、裝置、電子設備及計算機可讀存儲介質在審
| 申請號: | 202210929890.9 | 申請日: | 2022-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN115442590A | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發明(設計)人: | 陳展耀;錢哲弘 | 申請(專利權)人: | 銀牛微電子(無錫)有限責任公司 |
| 主分類號: | H04N17/00 | 分類號: | H04N17/00;G06V20/90 |
| 代理公司: | 深圳市聯鼎知識產權代理有限公司 44232 | 代理人: | 劉冰 |
| 地址: | 214400 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 性能 分析 方法 裝置 電子設備 計算機 可讀 存儲 介質 | ||
1.一種用于深度成像裝置的性能分析方法,所述深度成像裝置包括基板、功能元件及保護蓋,所述功能元件設置在所述基板上,所述保護蓋支撐在所述基板上,且位于所述功能元件遠離所述基板的一側,所述功能元件包括間隔排布的點陣投射器和光接收相機;其特征在于,所述性能分析方法包括:
獲取光接收相機所接收的反射光線的光信號功率S,所述反射光線為點陣投射器發射至待測對象、并經所述待測對象反射至所述光接收相機的光線;
基于G點位置處雜光的光強度IG以及所述G點位置處雜光在所述光接收相機處所成圖像的直徑δ,計算所述光接收相機處的雜光功率N,所述G點位置處雜光為點陣投射器發射至保護蓋、并經所述保護蓋全反射出的光線;
根據所述光信號功率S和所述雜光功率N,計算所述深度成像裝置的信噪比SNR;
基于所述信噪比SNR,分析所述深度成像裝置的性能。
2.根據權利要求1所述的性能分析方法,其特征在于,
所述光信號功率S、所述雜光功率N、所述深度成像裝置的信噪比SNR之間滿足下述公式(1)的關系,其中:
所述G點位置處雜光的光強度IG、所述G點位置處雜光在所述光接收相機處所成圖像的直徑δ、所述光接收相機處的雜光功率N之間滿足下述公式(1)的關系,其中:
3.根據權利要求1所述的性能分析方法,其特征在于,所述獲取光接收相機所接收的反射光線的光信號功率S,具體包括:
獲取所述光接收相機的焦距f、所述點陣投射器的光線發散角α和單點光功率Is、所述待測對象的反射率Rs、以及所述反射光線的路徑D,并基于下述公式(3)計算出所述光信號功率S,其中:
4.根據權利要求1所述的性能分析方法,其特征在于,在基于G點位置處雜光的光強度IG以及所述G點位置處雜光在所述光接收相機處所成圖像的直徑δ,計算所述光接收相機處的雜光功率N之前,所述性能分析方法還包括:
獲取保護蓋與光接收相機的光學中心之間的垂直距離d1;
在確定保護蓋與光接收相機的光學中心之間的垂直距離d1小于預設距離值時,基于光接收相機的鏡頭光圈F、對焦距離FL、焦距f以及所述垂直距離d1,計算出G點位置處雜光在所述光接收相機處所成圖像的直徑δ,其中:
5.根據權利要求4所述的性能分析方法,其特征在于,所述預設距離值為10mm。
6.根據權利要求1所述的性能分析方法,其特征在于,在基于G點位置處雜光的光強度IG以及所述G點位置處雜光在所述光接收相機處所成圖像的直徑δ,計算所述光接收相機處的雜光功率N之前,所述性能分析方法還包括:
獲取點陣投射器所發射光線中雜光的入射光強Ii、以及保護蓋的衰減系數u;
確定保護蓋的反射率R、及保護蓋內雜光反射到G點位置時的內反射次數M和單次內反射路徑L,并基于下述公式(5)計算出G點位置處雜光的光強度IG,其中:
IG=Ii*RM*exp(-uML)公式(5)。
7.根據權利要求6所述的性能分析方法,其特征在于,所述確定保護蓋的反射率R、及保護蓋內雜光反射到G點位置時的內反射次數M和單次內反射路徑L,具體包括:
基于所述點陣投射器所發射光線中雜光的入射角θi、所述功能元件與所述保護蓋之間介質的折射率n1、所述保護蓋的折射率n2,確定所述雜光進入所述保護蓋的折射角θt以及所述保護蓋的反射率R;
基于所述保護蓋的厚度d2以及所述保護蓋的折射角θt,確定單次內反射路徑L;
基于所述雜光的入射角θi、所述保護蓋的折射角θt和厚度d2、所述點陣投射器的光學中心與所述G點位置的水平距離HG、及所述保護蓋與所述光接收相機的光學中心之間的垂直距離d1,確定所述保護蓋內雜光反射到G點位置時的內反射次數M,其中,所述點陣投射器的光學中心與所述光接收相機的光學中心位于同一水平線上。
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