[發明專利]一種大面積13

有效

• 申請號: 202210926032.9
• 申請日: 2022-08-03
• 公開（公告）號: CN115287616B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 盧子偉;劉鳳瓊;朱亞濱;張宏斌;李海霞;李榮華;王秀華;陳翠紅;李占奎
• 申請（專利權）人: 中國科學院近代物理研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 吳愛琴

1.一種大面積¹³C同位素靶的制備方法，包括如下步驟：

1）采用熱壓法將¹³C同位素粉末熱壓到背靶材上，得到用于磁控濺射的¹³C同位素塊狀靶材；

2）將熱壓成型的¹³C同位素塊狀靶材裝入磁控濺射設備中，抽真空，采用射頻磁控濺射法對待鍍膜樣品進行鍍膜，得到所需大面積¹³C同位素靶；

所述背靶材為石墨紙。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述石墨紙的厚度為0.4-0.8mm。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：步驟1）所得塊狀靶材的直徑不小于40mm。

4.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述熱壓的操作為：在放電等離子體燒結爐中，預加壓；抽真空，待真空度小于5Pa時，開啟脈沖電源；以80-120℃/min速率升溫至1800-2000℃，同步提升壓強至38-42?MPa；在1800-2000℃溫度下和38-42?MPa壓強下保溫保壓10-20?min，隨后以80-120℃/min速率降溫至580-620℃；關閉脈沖電源，樣品隨爐冷卻，即得¹³C同位素塊狀靶材。

5.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟2）的操作為：將¹³C塊狀靶材裝入磁控濺射真空濺射設備中，將待鍍膜樣品裝入設備的樣品支架中；抽磁控濺射真空濺射設備的本底真空至4*10^-4Pa以下，充高純氬氣調節真空至0.8-1.2?Pa；打開射頻電源，調節電源參數，進行磁控濺射鍍膜，濺射至目標厚度后關設備，取出樣品，即可；

其中，磁控濺射法產生的輝光直徑為40mm。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：鍍膜厚度為小于等于500nm；

所得¹³C同位素靶的有效面積為直徑60mm及以下。

7.由權利要求1-6中任一項所述的方法制得的大面積¹³C同位素靶。