[發明專利]一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法有效
| 申請號： | 202210922764.0 | 申請日： | 2022-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN115341272B | 公開（公告）日： | 2023-09-15 |
| 發明（設計）人： | 高平奇;趙天歌;郁建燦;朱夢瓊;朱瑞楠 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | C30B25/00 | 分類號： | C30B25/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 深圳市創富知識產權代理有限公司 44367 | 代理人： | 范偉民 |
| 地址： | 510275 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 毫米 二維 拓撲 材料 硒化鉍單晶 制備 方法 | ||
1.一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法，其特征在于，以鉍粉和硒粉分別作為鉍源和硒源，將鉍粉和硒粉分別放置在單溫區管式爐上游的不同區域，將云母襯底放置在中心溫區；再于真空狀態下將中心溫區的溫度升至500～700℃的預定溫度，然后通過氬氫混合氣作為載氣將蒸發的鉍源和硒源傳輸至襯底處，鉍和硒在氫氣作用下發生反應，最終在云母襯底上生成硒化鉍單晶。
2.根據權利要求1所述的一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法，其特征在于，所述鉍源和硒源分別放置在距離中心溫區10cm和15cm的上游處。
3.根據權利要求1所述的一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法，其特征在于，鉍和硒的反應時間為5～20min，反應結束后自然冷卻至室溫。
4.根據權利要求1所述的一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法，其特征在于，所述中心溫區的升溫速率為30～40℃/min。
5.根據權利要求1所述的一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法，其特征在于，所述氬氫混合氣中，氬氣的流量為50～100sccm，氫氣流量2.5～5sccm。
6.根據權利要求1所述的一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法，其特征在于，所述云母襯底為新鮮剝離的氟金云母。
7.根據權利要求1所述的一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法，其特征在于，中心溫區開始升溫前，先將爐管內壓強抽至10～100Pa的真空狀態，隨后封閉爐管，再啟動加熱程序。
8.根據權利要求7所述的一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法，其特征在于，抽壓強封閉爐管前，先預抽真空至9-15Pa，并充入惰性氣體至大氣壓，并反復洗氣，以排除殘余氧氣。
9.根據權利要求1所述的一種毫米級二維拓撲材料硒化鉍單晶的制備方法，其特征在于，以氬氫混合氣作為載氣通過爐腔時，通至爐腔內的壓強升至大氣壓，并打開出氣閥，使鉍和硒在氫氣作用下發生反應。
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