[發明專利]垂直腔面發射激光器及其制備方法

在審

• 申請號: 202210921313.5
• 申請日: 2022-08-02
• 公開（公告）號: CN115313150A
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 潘德烈;李承遠;李佳勛
• 申請（專利權）人: 深圳市德明利光電有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/042;H01S5/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，包括：

提供外延結構，所述外延結構包括依次層疊的襯底、N型接觸層、N型反射層、量子阱層和P型反射層；

在所述P型反射層上形成P極金屬電極，并在所述P極金屬電極上形成第一抗反射膜層以覆蓋所述P型反射層；

由所述第一抗反射膜層刻蝕溝槽至所述N型接觸層；

通過所述溝槽的側壁向所述P型反射層內延伸形成氧化結構，并在所述第一抗反射膜層上形成第二抗反射膜層以覆蓋所述溝槽；

由所述溝槽刻蝕所述第二抗反射膜層露出所述N型接觸層，在露出的所述N型接觸層上形成N極金屬電極；

刻蝕所述第一抗反射膜層和所述第二抗反射膜層以露出所述P極金屬電極；

通過所述P極金屬電極接出P電極，通過所述N極金屬電極接出N電極。

2.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，所述在所述P型反射層上形成P極金屬電極，并在所述P極金屬電極上形成第一抗反射膜層以覆蓋所述P型反射層包括：

在所述P型反射層上蒸鍍形成所述P極金屬電極。

3.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，所述由所述第一抗反射膜層刻蝕溝槽至所述N型接觸層包括：

刻蝕所述溝槽，所述溝槽形成倒梯形溝槽。

4.根據權利要求3所述的垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，所述由所述第一抗反射膜層刻蝕溝槽至所述N型接觸層包括：

刻蝕所述溝槽，使所述溝槽的槽壁和水平面之間具有夾角，且所述夾角在60°～80°之間。

5.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，所述通過所述溝槽的側壁向所述P型反射層內延伸形成氧化結構，并在所述第一抗反射膜層上形成第二抗反射膜層以覆蓋所述溝槽包括：

通過濕氧化工藝形成所述氧化結構。

6.一種垂直腔面發射激光器，采用如權利要求1-5任一項所述的垂直腔面發射激光器的制備方法制備，其特征在于，包括依次層疊設置的外延結構、P極金屬電極、第一抗反射膜層和第二抗反射膜層，所述P極金屬電極位于所述外延結構的P型反射層上；

還包括由所述第二抗反射膜層延伸至所述外延結構的N型接觸層的溝槽，所述溝槽底部的所述N型接觸層上設置N極金屬電極，所述外延結構的P型反射層內還設置氧化結構，所述氧化結構由所述溝槽的側壁向所述P型反射層內延伸。

7.根據權利要求6所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述外延結構包括依次層疊設置的襯底、所述N型接觸層、N型反射層、量子阱層和所述P型反射層，所述P極金屬電極設置在所述P型反射層上。

8.根據權利要求6所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述溝槽為倒梯形溝槽，所述溝槽的槽壁和水平面之間具有夾角，且所述夾角在60°～80°之間。

9.根據權利要求8所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述溝槽的數量為多個，多個所述溝槽均布在所述外延結構上，多個所述溝槽形成的所述氧化結構之間形成間隙孔徑。

10.根據權利要求6所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述第一抗反射膜層和第二抗反射膜層均包括氮氧硅或氮化硅。